晶體管

UMF21NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 260MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF23NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 140MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF24NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF28NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 140MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF4NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 260MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF5NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 260MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMF8NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMG11NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMG1NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMG2NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMG3N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

DIODE

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: SOT-353

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UMG3NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMG4N-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: SOT-353

加入購物車更新到購物車

UMG4NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UMG5NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UMG6NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UMG7NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UMG8NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMG9NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

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UMH10NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH11NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH11N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UMH14NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH1NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH1N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UMH2NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH2N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UMH3NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH4NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH5NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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