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晶體管

記錄 64,903
頁面 94/2164
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型號
描述
庫存
數量
UMA8NTR
UMA8NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: UMT5
庫存8,136
UMA9NTR
UMA9NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: UMT5
庫存8,208
UMB10NTN
UMB10NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存22,722
UMB11NTN
UMB11NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存2,700
UMB1NTN
UMB1NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存5,670
UMB2NTN
UMB2NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存23,130
UMB3NTN
UMB3NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存7,380
UMB4NTN
UMB4NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存3,708
UMB6NTR
UMB6NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存2,538
UMB8NTR
UMB8NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存8,280
UMB9NTN
UMB9NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存291,570
UMC2NT1
UMC2NT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
庫存6,156
UMC2NT1G
UMC2NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
庫存3,870
UMC2NTR
UMC2NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: UMT5
庫存5,112
UMC3NT1G
UMC3NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
庫存148,602
UMC3NTR
UMC3NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: UMT5
庫存5,274
UMC4N-7
UMC4N-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms, 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SOT-353
庫存6,912
UMC4NQ-7
UMC4NQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT353

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms, 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms, 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 290mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SOT-353
庫存5,580
UMC5N-7
UMC5N-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms, 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms, 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SOT-353
庫存27,966
UMC5NQ-7
UMC5NQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

PREBIASTRANSISTORSOT353

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 290mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SOT-353
庫存6,480
UMC5NTR
UMC5NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA, 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms, 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms, 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: UMT5
庫存22,740
UMD12NTR
UMD12NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存44,922
UMD22NTR
UMD22NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存3,996
UMD2NTR
UMD2NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存50,304
UMD3NFHATR
UMD3NFHATR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,016
UMD3NTR
UMD3NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存44,454
UMD4NTR
UMD4NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms, 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW, 120mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存23,454
UMD5NTR
UMD5NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms, 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms, 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW, 120mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存25,920
UMD6NTR
UMD6NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存51,282
UMD9NTR
UMD9NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: UMT6
庫存144,324