晶體管

型號	描述	庫存
CSD17579Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 998pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,802
CSD17579Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 998pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存52,332
CSD17579Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存334
CSD17579Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存14,412
CSD17581Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N CH MOSFET 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存51,378
CSD17581Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存15,708
CSD17581Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N CH MOSFET 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 123A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,076
CSD17581Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 123A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存13,092
CSD17585F5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N CH MOSFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存54,318
CSD17585F5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存45,432
CSD18501Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3840pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存630,240
CSD18502KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4680pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 259W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,624
CSD18502Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,686
CSD18502Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,308
CSD18503KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,804
CSD18503Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2640pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存215,496
CSD18503Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2640pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存17,112
CSD18504KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,120
CSD18504Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1656pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存618,072
CSD18504Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1656pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存32,358
CSD18509Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存60,426
CSD18509Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存401,958
CSD18510KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存17,700
CSD18510KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN1.4 40V-20V 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 274A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存16,404
CSD18510KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 274A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存5,472
CSD18510Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,370
CSD18510Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存20,616
CSD18511KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 NEW LF VERSION OF CSD18502KCS 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 194A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存20,196
CSD18511KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 GEN1.4 40V-20V 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 194A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,778
CSD18511KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta), 194A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,796

CSD17579Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 998pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,802

CSD17579Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 998pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存52,332

CSD17579Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存334

CSD17579Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存14,412

CSD17581Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N CH MOSFET

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存51,378

CSD17581Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存15,708

CSD17581Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N CH MOSFET

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 123A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,076

CSD17581Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 123A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3640pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存13,092

CSD17585F5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N CH MOSFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存54,318

CSD17585F5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存45,432

CSD18501Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3840pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存630,240

CSD18502KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4680pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 259W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,624

CSD18502Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,686

CSD18502Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,308

CSD18503KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,804

CSD18503Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2640pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存215,496

CSD18503Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2640pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存17,112

CSD18504KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,120

CSD18504Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1656pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存618,072

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1656pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存32,358

CSD18509Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存60,426

CSD18509Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存401,958

CSD18510KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存17,700

CSD18510KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN1.4 40V-20V

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 274A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存16,404

CSD18510KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 274A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存5,472

CSD18510Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,370

CSD18510Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存20,616

CSD18511KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

NEW LF VERSION OF CSD18502KCS

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 194A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存20,196

CSD18511KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

GEN1.4 40V-20V

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 194A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,778

CSD18511KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta), 194A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,796

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