晶體管

型號	描述	庫存
DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 829.9pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,016
DMG3415U-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH DFN-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,338
DMG3415U-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,606,656
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 281.9pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 400mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN2015H4-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存3,654
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 650mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X2-DFN2015-3 包裝/箱: 3-XDFN	庫存47,088
DMG3418L-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 464.3pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,178
DMG3418L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 464.3pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存80,694
DMG3420U-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.47A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 434.7pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,873,632
DMG3N60SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,582
DMG3N60SJ3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3, IPak, Short Leads	庫存8,568
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1281pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,006
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2246pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.45W (Ta) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,308
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4965pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,002
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1614pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存66,420
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.42W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,176
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.42W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,276
DMG4468LFG Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.62A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 990mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN3030-8 包裝/箱: 8-PowerUDFN	庫存3,114
DMG4468LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.62A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 990mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN3030-8 包裝/箱: 8-PowerUDFN	庫存3,600
DMG4468LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.68W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,772
DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 493.5pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.42W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存38,130
DMG4710SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1849pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 1.54W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,956
DMG4712SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2296pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 1.55W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存22,350
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.44A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.47nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 940mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN3030-8 包裝/箱: 8-PowerUDFN	庫存25,218
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.71W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,392
DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1849pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 1.54W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存24,960
DMG4N60SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 600V 4.5A TO220 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 113W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,642
DMG4N60SJ3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 600V 3A TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,258
DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,282
DMG4N65CT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.19W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,484
DMG4N65CTI Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 8.35W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存3,852

DMG3414UQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 829.9pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,016

DMG3415U-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH DFN-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,338

DMG3415U-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,606,656

DMG3415UFY4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 281.9pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN2015H4-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存3,654

DMG3415UFY4Q-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 16V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 650mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X2-DFN2015-3
包裝/箱: 3-XDFN

庫存47,088

DMG3418L-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 464.3pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,178

DMG3418L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 464.3pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存80,694

DMG3420U-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.47A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 434.7pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,873,632

DMG3N60SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,582

DMG3N60SJ3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 354pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3, IPak, Short Leads

庫存8,568

DMG4406LSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1281pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,006

DMG4407SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2246pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.45W (Ta)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,308

DMG4413LSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4965pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,002

DMG4435SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1614pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存66,420

DMG4466SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.42W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,176

DMG4466SSSL-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.42W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,276

DMG4468LFG

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.62A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 990mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN3030-8
包裝/箱: 8-PowerUDFN

庫存3,114

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.62A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 990mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN3030-8
包裝/箱: 8-PowerUDFN

庫存3,600

DMG4468LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.68W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,772

DMG4496SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 493.5pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.42W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存38,130

DMG4710SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1849pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 1.54W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,956

DMG4712SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2296pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 1.55W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存22,350

DMG4800LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.44A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.47nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN3030-8
包裝/箱: 8-PowerUDFN

庫存25,218

DMG4800LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.71W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,392

DMG4812SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1849pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 1.54W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存24,960

DMG4N60SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,642

DMG4N60SJ3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 3A TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,258

DMG4N60SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 532pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,282

DMG4N65CT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.19W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,484

DMG4N65CTI

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.35W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存3,852

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