晶體管

型號	描述	庫存
DI9405T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1425pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)	庫存5,724
DI9430T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SMD, Gull Wing	庫存2,232
DI9435T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)	庫存8,802
DKI03038 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 47.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,848
DKI03062 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,328
DKI03082 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 29A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,330
DKI04035 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 48A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 51A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 61W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,860
DKI04046 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 48A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 35.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,708
DKI04077 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 47A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 23.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,042
DKI04103 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 29A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 18.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,968
DKI06075 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 48A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 61W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,606
DKI06108 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 47A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 23.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,894
DKI06186 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 31A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,292
DKI06261 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 25A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.2mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,120
DKI10299 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,264
DKI10526 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 19A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,744
DKI10751 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A TO-252 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70.4mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,304
DMG1012T-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.737nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 280mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存7,290
DMG1012T-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 280mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存3,678,246
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 280mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存6,552
DMG1012UW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 290mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存2,556,270
DMG1013T-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 460mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 270mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存2,638,308
DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 460mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.58nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 270mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存3,996
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存1,935,108
DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,930
DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存24,042
DMG10N60SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1587pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 178W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,222
DMG2301L-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,102
DMG2301L-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,650
DMG2301LK-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET PCH 20V 2.4A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 840mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,964

DI9405T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1425pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

庫存5,724

DI9430T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SMD, Gull Wing

庫存2,232

DI9435T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

庫存8,802

DKI03038

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 48A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 47.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,848

DKI03062

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 48A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,328

DKI03082

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 29A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,330

DKI04035

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 48A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 51A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 61W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,860

DKI04046

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 48A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,708

DKI04077

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 47A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,042

DKI04103

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 29A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,968

DKI06075

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 48A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 61W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,606

DKI06108

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 47A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,894

DKI06186

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 31A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,292

DKI06261

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 25A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,120

DKI10299

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,264

DKI10526

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 19A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,744

DKI10751

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A TO-252

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70.4mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,304

DMG1012T-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.737nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存7,290

DMG1012T-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存3,678,246

DMG1012TQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存6,552

DMG1012UW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存2,556,270

DMG1013T-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 460mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 270mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存2,638,308

DMG1013TQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 460mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 270mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存3,996

DMG1013UW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存1,935,108

DMG1013UWQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,930

DMG1013UWQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 820mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存24,042

DMG10N60SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1587pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 178W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,222

DMG2301L-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,102

DMG2301L-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 476pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,650

DMG2301LK-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET PCH 20V 2.4A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 840mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,964

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