晶體管

型號	描述	庫存
CSD25485F5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 533pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存142,122
CSD25485F5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 CSD25485F5T 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 533pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存52,410
CSD25501F3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 20V P CH MOSFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs（最大）: -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 385pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-LGA (0.73x0.64) 包裝/箱: 3-XFLGA	庫存6,426
CSD25501F3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs（最大）: -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 385pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-LGA (0.73x0.64) 包裝/箱: 3-XFLGA	庫存28,242
CTLDM3590 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.46nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 125mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM3D6D8 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存2,574
CTLDM7002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs（最大）: 40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存3,042
CTLDM7002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs（最大）: 40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存6,444
CTLDM7003-M621 BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存7,758
CTLDM7003-M621 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存8,874
CTLDM7120-M621H BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存5,436
CTLDM7120-M621H TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1A 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存6,048
CTLDM7590 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 125mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM3D6D8 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存2,100
CTLDM8002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存2,484
CTLDM8002A-M621H BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存3,528
CTLDM8002A-M621H TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存4,644
CTLDM8002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621 包裝/箱: 6-PowerVFDFN	庫存3,276
CTLDM8120-M621H BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存6,804
CTLDM8120-M621H TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V DFN6 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TLM621H 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad	庫存4,266
CWDM3011N TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,982
CWDM3011P TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 8V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,536
CWDM305N TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,430
CWDM305P TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V Vgs（最大）: 16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,516
CXDM1002N TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存22,158
CXDM3069N TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存6,336
CXDM4060N TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存13,902
CXDM4060P TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: 25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存14,340
CXDM6053N TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存8,766
CZDM1003N BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,208
CZDM1003N TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,172
DI9400T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SMD, Gull Wing	庫存3,042

CSD25485F5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

20V P-CHANNEL FEMTOFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 533pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存142,122

CSD25485F5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

CSD25485F5T

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 533pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存52,410

CSD25501F3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

20V P CH MOSFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.33nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 385pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-LGA (0.73x0.64)
包裝/箱: 3-XFLGA

庫存6,426

CSD25501F3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.33nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 385pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-LGA (0.73x0.64)
包裝/箱: 3-XFLGA

庫存28,242

CTLDM3590 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.46nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM3D6D8
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存2,574

CTLDM7002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存3,042

CTLDM7002A-M621 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存6,444

CTLDM7003-M621 BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存7,758

CTLDM7003-M621 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存8,874

CTLDM7120-M621H BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存5,436

CTLDM7120-M621H TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存6,048

CTLDM7590 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM3D6D8
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存2,100

CTLDM8002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存2,484

CTLDM8002A-M621H BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存3,528

CTLDM8002A-M621H TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存4,644

CTLDM8002A-M621 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621
包裝/箱: 6-PowerVFDFN

庫存3,276

CTLDM8120-M621H BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存6,804

CTLDM8120-M621H TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V DFN6

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TLM621H
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad

庫存4,266

CWDM3011N TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,982

CWDM3011P TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 8V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,536

CWDM305N TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,430

CWDM305P TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs（最大）: 16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,516

CXDM1002N TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存22,158

CXDM3069N TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存6,336

CXDM4060N TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存13,902

CXDM4060P TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存14,340

CXDM6053N TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存8,766

CZDM1003N BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,208

CZDM1003N TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 975pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,172

DI9400T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SMD, Gull Wing

庫存3,042

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