晶體管

型號	描述	庫存
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 404pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.12W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存26,928
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 498pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.75W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存244,470
DMG6968LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,554
DMG6968U-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,164,378
DMG6968UQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,550
DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 940mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,110
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 940mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,014
DMG7401SFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 940mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存17,125
DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 940mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,984
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,244
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1281pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存317,700
DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,632
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,016
DMG7702SFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4310pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 890mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,676
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4310pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 890mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,798
DMG7N65SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,114
DMG7N65SCTI Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存3,204
DMG7N65SJ3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3, IPak, Short Leads	庫存6,210
DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1289pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.68W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,388
DMG8880LSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1289pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.43W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,284
DMG8N65SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1217pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,292
DMG9N65CT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,408
DMG9N65CTI Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 13W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存7,416
DMJ65H650SCTI Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,838
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,074
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,372
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,676
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,966
DMJ70H1D4SV3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,934
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 316pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,844

DMG6402LDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 404pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.12W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存26,928

DMG6402LVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 498pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.75W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存244,470

DMG6968LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,554

DMG6968U-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,164,378

DMG6968UQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,550

DMG7401SFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,110

DMG7401SFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,014

DMG7401SFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存17,125

DMG7401SFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,984

DMG7408SFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,244

DMG7430LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1281pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存317,700

DMG7430LFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,632

DMG7430LFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,016

DMG7702SFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4310pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 890mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,676

DMG7702SFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4310pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 890mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,798

DMG7N65SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,114

DMG7N65SCTI

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存3,204

DMG7N65SJ3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 886pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3, IPak, Short Leads

庫存6,210

DMG8880LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1289pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.68W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,388

DMG8880LSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1289pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.43W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,284

DMG8N65SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1217pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,292

DMG9N65CT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,408

DMG9N65CTI

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存7,416

DMJ65H650SCTI

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,838

DMJ70H1D0SV3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,074

DMJ70H1D3SH3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,372

DMJ70H1D3SI3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,676

DMJ70H1D3SJ3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 351pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,966

DMJ70H1D4SV3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,934

DMJ70H1D5SV3

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 316pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,844

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