晶體管

型號	描述	庫存
PMZB670UPE,315 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006B-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存194,394
PMZB790SN,315 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 35pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006B-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存7,164
PMZB950UPELYL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006B-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存8,334
PMZB950UPEYL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3QFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006B-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存87,882
PN3685 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存2,250
PSMN003-30B,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,376
PSMN003-30P,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,668
PSMN004-36B,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 36V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 97nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,100
PSMN004-55W,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 226nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,122
PSMN004-60B,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 168nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存33,984
PSMN004-60P,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 168nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,544
PSMN005-25D,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 75A DPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,834
PSMN005-30K,518 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,210
PSMN005-55B,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,740
PSMN005-55P,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,552
PSMN005-75B,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,560
PSMN005-75P,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,052
PSMN006-20K,518 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 8.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,970
PSMN008-75B,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存29,268
PSMN008-75P,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,346
PSMN009-100B,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,840
PSMN009-100P,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,394
PSMN009-100W,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A SOT429 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 214nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,968
PSMN010-25YLC,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 678pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,096
PSMN010-55D,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,770
PSMN010-80YLX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6506pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 194W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存31,440
PSMN011-100YSFX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOS DISCRETES 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 79.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.258nF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 152W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存2,844
PSMN011-30YL,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 726pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 49W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存2,898
PSMN011-30YLC,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 641pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存111,054
PSMN011-60MLX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2191pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 91W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存32,910

PMZB670UPE,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006B-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存194,394

PMZB790SN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 35pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006B-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存7,164

PMZB950UPELYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006B-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存8,334

PMZB950UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3QFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006B-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存87,882

PN3685

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存2,250

PSMN003-30B,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,376

PSMN003-30P,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,668

PSMN004-36B,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 36V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 97nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,100

PSMN004-55W,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 226nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,122

PSMN004-60B,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 168nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存33,984

PSMN004-60P,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 168nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,544

PSMN005-25D,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,834

PSMN005-30K,518

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,210

PSMN005-55B,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,740

PSMN005-55P,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,552

PSMN005-75B,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,560

PSMN005-75P,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,052

PSMN006-20K,518

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,970

PSMN008-75B,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存29,268

PSMN008-75P,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,346

PSMN009-100B,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,840

PSMN009-100P,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,394

PSMN009-100W,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A SOT429

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 214nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,968

PSMN010-25YLC,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 678pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,096

PSMN010-55D,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 75A DPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,770

PSMN010-80YLX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK56

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6506pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 194W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存31,440

PSMN011-100YSFX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOS DISCRETES

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 79.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.258nF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 152W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存2,844

PSMN011-30YL,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 726pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 49W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存2,898

PSMN011-30YLC,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 641pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存111,054

PSMN011-60MLX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V LFPAK33

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2191pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 91W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存32,910

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