晶體管

型號	描述	庫存
SST174-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 85 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,452
SST175-T1-E3 Vishay Dale	晶體管-JFET MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 制造商: Vishay Dale 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236 (SOT-23)	庫存2,682
SST201-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存12,832
SST204-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存8,766
SST204-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存6,210
SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 70V 80UA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存5,688
SST4119-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236	庫存3,420
SST4416-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,292
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存4,896
SST5461-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 55V 2MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存6,318
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存8,926
SST5484-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存4,050
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,470
SST5485-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存29,384
SST5485-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存6,516
SST5486-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存5,508
SST5486-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存4,950
TF202THC-3-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存2,592
TF202THC-3-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,844
TF202THC-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 0.1W VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存147,124
TF202THC-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存81,614
TF202THC-L5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存4,158
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存25,179
TF208TH-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存4,518
TF252-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存163,041
TF252-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存2,412
TF252TH-4A-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存157,398
TF252TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存20,095
TF252TH-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 0.1W 3VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存206
TF256-3-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存6,300

SST174-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 85 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,452

SST175-T1-E3

Vishay Dale

晶體管-JFET

MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3

制造商: Vishay Dale
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236 (SOT-23)

庫存2,682

SST201-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存12,832

SST204-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存8,766

SST204-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存6,210

SST4118-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 70V 80UA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存5,688

SST4119-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 70V 200UA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236

庫存3,420

SST4416-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,292

SST4416-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存4,896

SST5461-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 55V 2MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存6,318

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存8,926

SST5484-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 1MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存4,050

SST5484-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 1MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,470

SST5485-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存29,384

SST5485-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存6,516

SST5486-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 8MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存5,508

SST5486-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 8MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存4,950

TF202THC-3-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存2,592

TF202THC-3-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,844

TF202THC-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存147,124

TF202THC-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存81,614

TF202THC-L5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存4,158

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存25,179

TF208TH-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存4,518

TF252-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存163,041

TF252-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存2,412

TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存157,398

TF252TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存20,095

TF252TH-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W 3VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存206

TF256-3-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存6,300

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