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2N4338

2N4338

僅供參考

型號 2N4338
PNEDA編號 2N4338
描述 MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $11.4853
100 ---------- $10.9469
250 ---------- $10.4086
500 ---------- $9.8702
750 ---------- $9.4215
1,000 ---------- $8.9729
庫存 1,825
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4338資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4338
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4338, 2N4338數據表 (總頁數: 7, 大小: 75.44 KB)
PDF2N4339-E3數據表 封面
2N4339-E3數據表 頁面 2 2N4339-E3數據表 頁面 3 2N4339-E3數據表 頁面 4 2N4339-E3數據表 頁面 5 2N4339-E3數據表 頁面 6 2N4339-E3數據表 頁面 7

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  • 2N4338 Distributor

2N4338規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)50V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200µA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID300mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

40mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

12 Ohms

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

350mW

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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80mA @ 15V

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