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DMC3018LSD-13

DMC3018LSD-13

僅供參考

型號 DMC3018LSD-13
PNEDA編號 DMC3018LSD-13
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC3018LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC3018LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC3018LSD-13, DMC3018LSD-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 281.78 KB)
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DMC3018LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.1A, 6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds631pF @ 15V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

DMP3098LSD-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

336pF @ 25V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

NTMD2P01R2G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 16V

功率-最大

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

DMTH4007SPD-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2026pF @ 30V

功率-最大

2.6W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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