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DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

僅供參考

型號 DMTH6016LSD-13
PNEDA編號 DMTH6016LSD-13
描述 MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6016LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6016LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMTH6016LSD-13, DMTH6016LSD-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 390.96 KB)
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DMTH6016LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds864pF @ 30V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 15V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

700mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A, 22.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2127pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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