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FDMQ86530L

FDMQ86530L

僅供參考

型號 FDMQ86530L
PNEDA編號 FDMQ86530L
描述 MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMQ86530L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMQ86530L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMQ86530L, FDMQ86530L數據表 (總頁數: 8, 大小: 334.03 KB)
PDFFDMQ86530L數據表 封面
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FDMQ86530L規格

制造商ON Semiconductor
系列GreenBridge™ PowerTrench®
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2295pF @ 30V
功率-最大1.9W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝12-MLP (5x4.5)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

205pF @ 20V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 50V

功率-最大

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 6V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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