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IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

僅供參考

型號 IRF7319TRPBF
PNEDA編號 IRF7319TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 30,288
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7319TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7319TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7319TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.07nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

161pF @ 15V

功率-最大

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 4V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A, 17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V

功率-最大

1.9W, 2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.92A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 16V

功率-最大

730mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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