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IRF7757TRPBF

IRF7757TRPBF

僅供參考

型號 IRF7757TRPBF
PNEDA編號 IRF7757TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7757TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7757TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7757TRPBF, IRF7757TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 150.42 KB)
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IRF7757TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1340pF @ 15V
功率-最大1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

功率-最大

3.1W, 2.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 10V

功率-最大

260mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2103pF @ 25V

功率-最大

3.8W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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制造商

Advanced Linear Devices Inc.

系列

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FET類型

4 N-Channel, Matched Pair

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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