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MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G

僅供參考

型號 MMBF4393LT3G
PNEDA編號 MMBF4393LT3G
描述 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $1.8134
250 ---------- $1.7284
500 ---------- $1.6434
1,000 ---------- $1.5584
2,500 ---------- $1.4875
5,000 ---------- $1.4167
庫存 45,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBF4393LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBF4393LT3G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBF4393LT3G, MMBF4393LT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 234.33 KB)
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MMBF4393LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 15V
電阻-RDS(On)100 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

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工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

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