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QJD1210011

QJD1210011

僅供參考

型號 QJD1210011
PNEDA編號 QJD1210011
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
制造商 Powerex Inc.
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QJD1210011資源

品牌 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QJD1210011
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QJD1210011, QJD1210011數據表 (總頁數: 7, 大小: 509.89 KB)
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QJD1210011規格

制造商Powerex Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10200pF @ 800V
功率-最大900W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A, 5.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1958pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

142mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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3.9A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1407pF @ 40V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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