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SIZ322DT-T1-GE3

SIZ322DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ322DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ322DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ322DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ322DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ322DT-T1-GE3, SIZ322DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 334.54 KB)
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SIZ322DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds950pF @ 12.5V
功率-最大16.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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870mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 20V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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