晶體管

型號	描述	庫存
BSP135L6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,006
BSP149 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,868
BSP149 E6906 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,606
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存28,470
BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,698
BSP149L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,412
BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,356
BSP170PE6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,070
BSP170PE6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,624
BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,182
BSP170PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,946
BSP171PE6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,066
BSP171PE6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,916
BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存119,946
BSP171PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,006
BSP179H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 135pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,082
BSP220,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存173,298
BSP225,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存34,272
BSP230,135 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存81,456
BSP250,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.65W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存93,288
BSP250,135 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.65W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存340,698
BSP254A,126 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存5,004
BSP295E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,716
BSP295E6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,282
BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,506
BSP295L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,708
BSP296E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,582
BSP296 E6433 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,532
BSP296L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,678
BSP296L6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,392

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,006

BSP149 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,868

BSP149 E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,606

BSP149H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存28,470

BSP149H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,698

BSP149L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,412

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 660mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,356

BSP170PE6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,070

BSP170PE6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,624

BSP170PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,182

BSP170PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,946

BSP171PE6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,066

BSP171PE6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,916

BSP171PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存119,946

BSP171PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,006

BSP179H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 135pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,082

BSP220,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存173,298

BSP225,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 225mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存34,272

BSP230,135

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存81,456

BSP250,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.65W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存93,288

BSP250,135

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.65W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存340,698

BSP254A,126

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存5,004

BSP295E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,716

BSP295E6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,282

BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,506

BSP295L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 368pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,708

BSP296E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,582

BSP296 E6433

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,532

BSP296L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,678

BSP296L6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,392

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