晶體管

型號	描述	庫存
BSO080P03NS3GXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,274
BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存21,402
BSO080P03SNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,066
BSO083N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,302
BSO094N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,222
BSO104N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2130pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,694
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,400
BSO119N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,068
BSO130N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,114
BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存21,552
BSO130P03SNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,588
BSO200N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,902
BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,286
BSO200P03SNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,802
BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存26,616
BSO201SPNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5962pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,190
BSO203SPHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3750pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,364
BSO203SPNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2265pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.35W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,156
BSO220N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,478
BSO300N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 8µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,256
BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存88,266
BSO301SPNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,046
BSO303SPHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,214
BSO303SPNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1754pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.35W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: P-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,718
BSO4410 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 42µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,564
BSO4410T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 42µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,262
BSO4420 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2213pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,424
BSO4420T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2213pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,114
BSO4822 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 55µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,868
BSO4822T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 55µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,910

BSO080P03NS3GXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,274

BSO080P03SHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存21,402

BSO080P03SNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,066

BSO083N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,302

BSO094N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,222

BSO104N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2130pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,694

BSO110N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,400

BSO119N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,068

BSO130N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,114

BSO130P03SHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存21,552

BSO130P03SNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,588

BSO200N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,902

BSO200P03SHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,286

BSO200P03SNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,802

BSO201SPHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存26,616

BSO201SPNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5962pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,190

BSO203SPHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3750pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,364

BSO203SPNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2265pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.35W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,156

BSO220N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,478

BSO300N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 8µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,256

BSO301SPHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存88,266

BSO301SPNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,046

BSO303SPHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,214

BSO303SPNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1754pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.35W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: P-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,718

BSO4410

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 42µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,564

BSO4410T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 42µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,262

BSO4420

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2213pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,424

BSO4420T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2213pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,114

BSO4822

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 55µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,868

BSO4822T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 55µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,910

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