晶體管

型號	描述	庫存
BSL305SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 939pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,400
BSL307SP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,712
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-1 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,416
BSL307SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,428
BSL307SPT Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,480
BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 329pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,136
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 265pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,906
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存22,530
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,848
BSL802SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1347pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,276
BSL802SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1347pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,884
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 204A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: +22V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1360W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: Module	庫存3,978
BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 106.8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: +22V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1570W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: Module	庫存4,500
BSM600C12P3G201 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 182mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: +22V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2460W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: Module	庫存6,804
BSN20,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 830mW (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,712
BSN20,235 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 830mW (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,734
BSN20-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存774,828
BSN20BKR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 265mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.49nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.2pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 310mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,094,214
BSN20Q-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta), 920mW (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存26,772
BSN254,126 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存8,748
BSN254A,126 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存8,784
BSN304,126 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存4,356
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存48,228
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,582
BSO051N03MS G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,790
BSO052N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5530pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,686
BSO064N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,874
BSO065N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,678
BSO072N03S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 45µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,304
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,932

BSL305SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 939pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,400

BSL307SP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,712

BSL307SPH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-1
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,416

BSL307SPL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,428

BSL307SPT

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,480

BSL372SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 329pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,136

BSL373SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 265pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,906

BSL606SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存22,530

BSL716SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,848

BSL802SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1347pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,276

BSL802SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1347pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,884

BSM180C12P2E202

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 204A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: +22V, -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1360W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: Module

庫存3,978

BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 106.8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: +22V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1570W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: Module

庫存4,500

BSM600C12P3G201

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 182mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: +22V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2460W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: Module

庫存6,804

BSN20,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830mW (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,712

BSN20,235

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830mW (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,734

BSN20-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存774,828

BSN20BKR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 265mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.49nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20.2pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,094,214

BSN20Q-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta), 920mW (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存26,772

BSN254,126

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存8,748

BSN254A,126

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存8,784

BSN304,126

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存4,356

BSO033N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存48,228

BSO040N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,582

BSO051N03MS G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,790

BSO052N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5530pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,686

BSO064N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,874

BSO065N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,678

BSO072N03S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 45µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,304

BSO080P03NS3EGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,932

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