晶體管

型號	描述	庫存
IRL540NSPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,022
IRL540NSTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,892
IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,272
IRL540NSTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,298
IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,064
IRL540PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存62,298
IRL540S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,552
IRL540SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存19,560
IRL540STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,070
IRL540STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,124
IRL540STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,004
IRL5602 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,982
IRL5602L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,408
IRL5602S Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,906
IRL5602SPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,196
IRL5602STRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,496
IRL5602STRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,002
IRL5602STRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,556
IRL5602STRRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,330
IRL60B216 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 195A 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,260
IRL60HS118 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 11.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存82,512
IRL60S216 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 195A 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存18,312
IRL60SL216 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 195A 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,384
IRL610A ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,924
IRL620 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,190
IRL620PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存35,238
IRL620S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,178
IRL620SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存15,648
IRL620STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,834
IRL620STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,124

IRL540NSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,022

IRL540NSTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,892

IRL540NSTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,272

IRL540NSTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,298

IRL540NSTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,064

IRL540PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存62,298

IRL540S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,552

IRL540SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存19,560

IRL540STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,070

IRL540STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,124

IRL540STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,004

IRL5602

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,982

IRL5602L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,408

IRL5602S

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,906

IRL5602SPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,196

IRL5602STRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,496

IRL5602STRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,002

IRL5602STRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,556

IRL5602STRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,330

IRL60B216

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 195A

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 258nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,260

IRL60HS118

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 11.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存82,512

IRL60S216

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 195A

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存18,312

IRL60SL216

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 195A

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,384

IRL610A

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,924

IRL620

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,190

IRL620PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存35,238

IRL620S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,178

IRL620SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存15,648

IRL620STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,834

IRL620STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,124

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