晶體管

型號	描述	庫存
IRLC3813EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,254
IRLC4030EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,580
IRLC8256ED Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,526
IRLC8259EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,660
IRLC8259ED Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,118
IRLC8743EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,794
IRLD014 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存4,662
IRLD014PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存7,308
IRLD024 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存4,464
IRLD024PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存105,396
IRLD110 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,040
IRLD110PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存26,364
IRLD120 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存8,964
IRLD120PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存105,126
IRLH5030TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,392
IRLH5030TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存33,180
IRLH5034TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,624
IRLH5034TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存29,298
IRLH5036TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,276
IRLH5036TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,256
IRLH6224TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 105A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,762
IRLH6224TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 105A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,302
IRLH7134TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,716
IRLH7134TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存35,544
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (3x3) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存7,812
IRLHM620TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (3x3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,942
IRLHM630TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (3x3) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存6,894
IRLHM630TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (3x3) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存3,258
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2) 包裝/箱: 6-PowerVDFN	庫存3,078
IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2) 包裝/箱: 6-PowerVDFN	庫存2,520

IRLC3813EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,254

IRLC4030EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,580

IRLC8256ED

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,526

IRLC8259EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,660

IRLC8259ED

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,118

IRLC8743EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,794

IRLD014

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存4,662

IRLD014PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存7,308

IRLD024

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存4,464

IRLD024PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存105,396

IRLD110

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,040

IRLD110PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存26,364

IRLD120

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存8,964

IRLD120PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存105,126

IRLH5030TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,392

IRLH5030TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5185pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存33,180

IRLH5034TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,624

IRLH5034TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存29,298

IRLH5036TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,276

IRLH5036TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,256

IRLH6224TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 105A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,762

IRLH6224TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 105A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,302

IRLH7134TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,716

IRLH7134TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存35,544

IRLHM620TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (3x3)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存7,812

IRLHM620TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (3x3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,942

IRLHM630TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (3x3)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存6,894

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (3x3)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存3,258

IRLHS2242TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
包裝/箱: 6-PowerVDFN

庫存3,078

IRLHS2242TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)
包裝/箱: 6-PowerVDFN

庫存2,520

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