晶體管

型號	描述	庫存
S200-50 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 110V 頻率-過渡: 1.5MHz ~ 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB ~ 14.5dB 功率-最大: 320W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55HX 供應商設備包裝: 55HX	庫存7,164
S200-50A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,022
SD1013 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 150MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 13W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存3,562
SD1013-03 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 150MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 13W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存7,848
SD1013-20H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,786
SD1015 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 150MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 10W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存8,154
SD1019 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 136MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 4.5dB 功率-最大: 117W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: M130 供應商設備包裝: M130	庫存6,048
SD1019-02 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,094
SD1057-01H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,118
SD1127 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 8W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 640mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,096
SD1143-01 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 20W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存8,712
SD1224 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB 功率-最大: 60W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存8,388
SD1224-02 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB 功率-最大: 60W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存8,838
SD1244-09H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,136
SD1244-12H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,178
SD1274 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M135 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存5,184
SD1274-01 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M113 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存8,982
SD1275 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M135 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存5,166
SD1275-01 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M113 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存6,624
SD1309-01H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,938
SD1330-05H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,094
SD1330-06H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,544
SD1332-05C Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.5dB @ 1GHz 增益: 17dB 功率-最大: 180W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 14mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M150 供應商設備包裝: M150	庫存2,448
SD1332-05H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.5dB @ 1GHz 增益: 17dB 功率-最大: 180W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 14mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M150 供應商設備包裝: M150	庫存3,168
SD1372-01H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,832
SD1372-03H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,806
SD1372-06H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,426
SD1400-03 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,894
SD1405 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V M174 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存7,614
SD1419-06H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,874

S200-50

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 110V
頻率-過渡: 1.5MHz ~ 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB ~ 14.5dB
功率-最大: 320W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55HX
供應商設備包裝: 55HX

庫存7,164

S200-50A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,022

SD1013

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 150MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 13W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存3,562

SD1013-03

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 150MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 13W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存7,848

SD1013-20H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,786

SD1015

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 150MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 10W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存8,154

SD1019

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 136MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 4.5dB
功率-最大: 117W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: M130
供應商設備包裝: M130

庫存6,048

SD1019-02

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,094

SD1057-01H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,118

SD1127

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 8W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 640mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,096

SD1143-01

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 20W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存8,712

SD1224

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB
功率-最大: 60W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存8,388

SD1224-02

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB
功率-最大: 60W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存8,838

SD1244-09H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,136

SD1244-12H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,178

SD1274

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M135

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存5,184

SD1274-01

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M113

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存8,982

SD1275

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M135

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存5,166

SD1275-01

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M113

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存6,624

SD1309-01H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,938

SD1330-05H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,094

SD1330-06H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,544

SD1332-05C

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.5dB @ 1GHz
增益: 17dB
功率-最大: 180W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 14mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M150
供應商設備包裝: M150

庫存2,448

SD1332-05H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.5dB @ 1GHz
增益: 17dB
功率-最大: 180W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 14mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M150
供應商設備包裝: M150

庫存3,168

SD1372-01H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,832

SD1372-03H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,806

SD1372-06H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,426

SD1400-03

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,894

SD1405

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V M174

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存7,614

SD1419-06H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,874

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message