晶體管

型號	描述	庫存
SD1433 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M122 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 58W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M122 供應商設備包裝: M122	庫存8,550
SD1444 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 450MHz ~ 512MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,862
SD1446 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V M113 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 183W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存7,056
SD1477 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V M111 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M111 供應商設備包裝: M111	庫存8,496
SD1488 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V M111 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 5.8dB 功率-最大: 117W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M111 供應商設備包裝: M111	庫存7,002
SD1526-01 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 21.9W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存7,308
SD1536-01 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,714
SD1536-03 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.4dB 功率-最大: 292W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存4,770
SD1536-08 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.4dB 功率-最大: 292W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M105 供應商設備包裝: M105	庫存3,996
SD1726 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V M174 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 318W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存7,146
SD1727 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V M164 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 233W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M164 供應商設備包裝: M164	庫存8,154
SD1728 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V M177 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 15dB ~ 17dB 功率-最大: 330W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 23 @ 10A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存3,456
SD1731 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V M174 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 233W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存2,178
SD1853-02H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,928
SD8002-01H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,502
SD8253-02H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,556
SD8268-21H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,388
SMMBTH10-4LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,106
SRF4427 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 17dB ~ 18dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 150mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,528
SS9018FBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 54 @ 1mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,600
SS9018GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 72 @ 1mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存55,386
SS9018HBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 97 @ 1mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存22,800
START405TR STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 4.5V SOT343 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1.8GHz 增益: 19dB 功率-最大: 45mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 4V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: -	庫存2,538
START499D STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 4.5V SOT89 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB ~ 14dB 功率-最大: 1.7W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 160mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存5,904
START499ETR STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V 頻率-過渡: 1.9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 1.8GHz 增益: 15dB 功率-最大: 600mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 160mA, 4V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: SOT-343	庫存3,580
TAN15 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 8dB 功率-最大: 175W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55LT 供應商設備包裝: 55LT	庫存4,698
TAN150 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 583W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AT 供應商設備包裝: 55AT	庫存7,272
TAN250A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.2db ~ 7dB 功率-最大: 575W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存3,526
TAN300 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.6dB 功率-最大: 1166W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存8,532
TAN350 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 7.5dB 功率-最大: 1450W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 230°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST 供應商設備包裝: 55ST	庫存6,066

SD1433

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M122

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 58W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M122
供應商設備包裝: M122

庫存8,550

SD1444

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 450MHz ~ 512MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,862

SD1446

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V M113

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 183W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存7,056

SD1477

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V M111

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M111
供應商設備包裝: M111

庫存8,496

SD1488

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V M111

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 5.8dB
功率-最大: 117W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M111
供應商設備包裝: M111

庫存7,002

SD1526-01

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 21.9W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存7,308

SD1536-01

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,714

SD1536-03

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.4dB
功率-最大: 292W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存4,770

SD1536-08

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.4dB
功率-最大: 292W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M105
供應商設備包裝: M105

庫存3,996

SD1726

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V M174

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 318W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存7,146

SD1727

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V M164

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 233W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M164
供應商設備包裝: M164

庫存8,154

SD1728

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V M177

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 15dB ~ 17dB
功率-最大: 330W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 23 @ 10A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存3,456

SD1731

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V M174

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 233W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存2,178

SD1853-02H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,928

SD8002-01H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,502

SD8253-02H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,556

SD8268-21H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,388

SMMBTH10-4LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,106

SRF4427

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 17dB ~ 18dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 150mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,528

SS9018FBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 54 @ 1mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,600

SS9018GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 72 @ 1mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存55,386

SS9018HBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 97 @ 1mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存22,800

START405TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 4.5V SOT343

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1.8GHz
增益: 19dB
功率-最大: 45mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 4V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: -

庫存2,538

START499D

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 4.5V SOT89

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB ~ 14dB
功率-最大: 1.7W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 160mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存5,904

START499ETR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.5V
頻率-過渡: 1.9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 1.8GHz
增益: 15dB
功率-最大: 600mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 160mA, 4V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: SOT-343

庫存3,580

TAN15

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 8dB
功率-最大: 175W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55LT
供應商設備包裝: 55LT

庫存4,698

TAN150

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 583W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AT
供應商設備包裝: 55AT

庫存7,272

TAN250A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.2db ~ 7dB
功率-最大: 575W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存3,526

TAN300

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.6dB
功率-最大: 1166W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存8,532

TAN350

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 7.5dB
功率-最大: 1450W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 230°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST
供應商設備包裝: 55ST

庫存6,066

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