晶體管

型號	描述	庫存
UPA812T-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存3,006
UPA812T-T1-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存6,516
UPA814T-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-SO	庫存6,354
UPA814T-T1 CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-SO	庫存5,976
UPA814T-T1-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-SO	庫存3,526
UPA895TS-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.5V 頻率-過渡: 6.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 增益: - 功率-最大: 130mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 6-Super Lead-Less MiniMold	庫存7,200
UPA895TS-T3-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.5V 頻率-過渡: 6.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 增益: - 功率-最大: 130mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 6-Super Lead-Less MiniMold	庫存2,898
UTV005 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB 功率-最大: 8W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存3,472
UTV010 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11.5dB 功率-最大: 15W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.25A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存7,650
UTV020 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 17W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存6,372
UTV040 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: 55FT 供應商設備包裝: 55FT	庫存4,752
UTV080 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 28V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB ~ 10dB 功率-最大: 65W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Channel, DIN Rail Mount 包裝/箱: 55JV 供應商設備包裝: 55JV	庫存4,788
UTV200 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 28V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 9.5dB 功率-最大: 80W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55JV 供應商設備包裝: 55JV	庫存8,748
UTV8100B Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB ~ 9.5dB 功率-最大: 290W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55RT 供應商設備包裝: 55RT	庫存4,608
ZTX325 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz 增益: 53dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: E-Line-3 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)	庫存2,502
ZTX325STOA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz 增益: 53dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)	庫存5,022
ZTX325STOB Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz 增益: 53dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)	庫存4,374
ZTX325STZ Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz 增益: 53dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads 供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)	庫存5,472
ZUMT918TA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 15dB 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323	庫存6,282
ZUMTS17HTA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323	庫存7,344
ZUMTS17HTC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323	庫存8,586
ZUMTS17NTA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 11V 頻率-過渡: 3.2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323	庫存2,322
1085-MMBT100A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,878
12A02CH-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 12V 1A CPH3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 20mA, 400mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V 功率-最大: 700mW 頻率-過渡: 450MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-96 供應商設備包裝: 3-CPH	庫存28,182
12A02MH-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 12V 1A MCPH3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 20mA, 400mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 450MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-MCPH	庫存52,188
15C01C-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 0.7A CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 330MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存3,598
15C01M-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 0.7A MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 330MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存82,776
15C01SS-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 0.6A SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 330MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-SSFP	庫存4,410
15C02CH-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 1A CPH3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 20mA, 400mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V 功率-最大: 700mW 頻率-過渡: 440MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-96 供應商設備包裝: 3-CPH	庫存58,410
15C02MH-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 1A MCPH3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 20mA, 400mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V 功率-最大: 600mW 頻率-過渡: 440MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-MCPH	庫存2,916

UPA812T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存3,006

UPA812T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存6,516

UPA814T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-SO

庫存6,354

UPA814T-T1

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-SO

庫存5,976

UPA814T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-SO

庫存3,526

UPA895TS-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.5V
頻率-過渡: 6.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: -
功率-最大: 130mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 6-Super Lead-Less MiniMold

庫存7,200

UPA895TS-T3-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.5V
頻率-過渡: 6.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: -
功率-最大: 130mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 6-Super Lead-Less MiniMold

庫存2,898

UTV005

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB
功率-最大: 8W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存3,472

UTV010

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 24V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11.5dB
功率-最大: 15W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.25A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存7,650

UTV020

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 17W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存6,372

UTV040

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: 55FT
供應商設備包裝: 55FT

庫存4,752

UTV080

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 28V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB ~ 10dB
功率-最大: 65W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Channel, DIN Rail Mount
包裝/箱: 55JV
供應商設備包裝: 55JV

庫存4,788

UTV200

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 28V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大: 80W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55JV
供應商設備包裝: 55JV

庫存8,748

UTV8100B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大: 290W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55RT
供應商設備包裝: 55RT

庫存4,608

ZTX325

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz
增益: 53dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: E-Line-3
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)

庫存2,502

ZTX325STOA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz
增益: 53dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)

庫存5,022

ZTX325STOB

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz
增益: 53dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)

庫存4,374

ZTX325STZ

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 500MHz
增益: 53dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝: E-Line (TO-92 compatible)

庫存5,472

ZUMT918TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 15dB
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323

庫存6,282

ZUMTS17HTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323

庫存7,344

ZUMTS17HTC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323

庫存8,586

ZUMTS17NTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 11V
頻率-過渡: 3.2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323

庫存2,322

1085-MMBT100A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,878

12A02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1A CPH3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 20mA, 400mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
功率-最大: 700mW
頻率-過渡: 450MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-96
供應商設備包裝: 3-CPH

庫存28,182

12A02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1A MCPH3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 20mA, 400mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 450MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-MCPH

庫存52,188

15C01C-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.7A CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 330MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存3,598

15C01M-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.7A MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 330MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存82,776

15C01SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.6A SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 330MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-SSFP

庫存4,410

15C02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 1A CPH3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 20mA, 400mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
功率-最大: 700mW
頻率-過渡: 440MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-96
供應商設備包裝: 3-CPH

庫存58,410

15C02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 1A MCPH3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 20mA, 400mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
功率-最大: 600mW
頻率-過渡: 440MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-MCPH

庫存2,916

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