晶體管

TAN500

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 75V 1.215GHZ 55ST

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
• 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 9dB
• 功率-最大: 2500W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55ST
• 供應商設備包裝: 55ST

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TAN75A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 8dB ~ 8.5dB
• 功率-最大: 290W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 15mA, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55AZ
• 供應商設備包裝: 55AZ

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TCS1200

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.03GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 10.2dBd
• 功率-最大: 2095W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55TU-1
• 供應商設備包裝: 55TU-1

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TCS800

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.03GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 8dB ~ 9dB
• 功率-最大: 1944W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 工作溫度: 230°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55SM
• 供應商設備包裝: 55SM

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TPR1000

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.09GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 6dB
• 功率-最大: 2900W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55KV
• 供應商設備包裝: 55KV

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TPR1000A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.09GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 6dB
• 功率-最大: 2900W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 工作溫度: 200°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55KV
• 供應商設備包裝: 55KV

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TPR175

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
• 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 8dB ~ 9dB
• 功率-最大: 290W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 20mA, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55CX
• 供應商設備包裝: 55CX

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TPR400

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
• 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 7.27dB
• 功率-最大: 875W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2.5A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55CX
• 供應商設備包裝: 55CX

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TPR700

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 6.7dB
• 功率-最大: 2050W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 55A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55KT
• 供應商設備包裝: 55KT

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UMIL10

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• 頻率-過渡: 100MHz ~ 400MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 10dB
• 功率-最大: 28W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: 55FT
• 供應商設備包裝: 55FT

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UMIL100A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 31V
• 頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 7.2dB ~ 8.5dB
• 功率-最大: 270W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55JU
• 供應商設備包裝: 55JU

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UMIL25

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 33V 400MHZ 55HV

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V
• 頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 8.9db ~ 10dB
• 功率-最大: 70W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55HV
• 供應商設備包裝: 55HV

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UMIL3

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• 頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 11.8db ~ 13dB
• 功率-最大: 11W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: 55FT
• 供應商設備包裝: 55FT

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UMIL3B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 30V 400MHZ 55FT

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• 頻率-過渡: 225MHz ~ 400MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 13dB
• 功率-最大: 11W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Stud Mount
• 包裝/箱: 55FT
• 供應商設備包裝: 55FT

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UMIL80

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 31V
• 頻率-過渡: 200MHz ~ 500MHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 9dB ~ 9.5dB
• 功率-最大: 220W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55HV
• 供應商設備包裝: 55HV

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UPA800T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 2GHz
• 增益: 7.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA800T-T1

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-SO

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UPA800T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 2GHz
• 增益: 7.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA801T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 4.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA801T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 4.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
• 增益: 9dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA802T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 7GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz
• 增益: 12dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA802T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 7GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz
• 增益: 12dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA806T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
• 頻率-過渡: 12GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
• 增益: 8.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA806T-T1

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
• 頻率-過渡: 12GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-SO

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UPA806T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
• 頻率-過渡: 12GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
• 增益: 8.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA810T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 4.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
• 增益: 9dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA810T-T1

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 4.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
• 增益: 7dB ~ 9dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-SO

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UPA810T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 4.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
• 增益: 9dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 7mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA811T-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 2GHz
• 增益: 7.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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UPA811T-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 2GHz
• 增益: 7.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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