晶體管

型號	描述	庫存
IXFH50N30Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,880
IXFH50N50P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4335pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,194
IXFH50N60P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 50A TO247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,230
IXFH50N60X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 50A TO247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 116nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 660W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,336
IXFH50N85X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 850V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,850
IXFH52N30P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,780
IXFH52N30Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,578
IXFH52N50P2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 52A TO247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,326
IXFH56N30X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.75nF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 320W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,972
IXFH58N20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,046
IXFH58N20Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,164
IXFH60N20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,164
IXFH60N25Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,652
IXFH60N50P3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 60A TO247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,432
IXFH60N60X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 60A TO247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,778
IXFH60N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: - 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,580
IXFH60N65X2-4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4L 包裝/箱: TO-247-4	庫存6,372
IXFH66N20Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,508
IXFH67N10 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,142
IXFH67N10Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,228
IXFH69N30P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,766
IXFH6N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存15,072
IXFH6N100F IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 制造商: IXYS-RF 系列: HiPerRF™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,348
IXFH6N100Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,506
IXFH6N120 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,056
IXFH6N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,718
IXFH6N90 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,870
IXFH70N15 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 70A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,268
IXFH70N20Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 70A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,180
IXFH70N30Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4735pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,672

IXFH50N30Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 50A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,880

IXFH50N50P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 50A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4335pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,194

IXFH50N60P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 50A TO247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,230

IXFH50N60X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 50A TO247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,336

IXFH50N85X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 850V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,850

IXFH52N30P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 52A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,780

IXFH52N30Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,578

IXFH52N50P2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 52A TO247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,326

IXFH56N30X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.75nF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,972

IXFH58N20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,046

IXFH58N20Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,164

IXFH60N20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,164

IXFH60N25Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,652

IXFH60N50P3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 60A TO247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, Polar3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,432

IXFH60N60X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,778

IXFH60N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: -
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,580

IXFH60N65X2-4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4L
包裝/箱: TO-247-4

庫存6,372

IXFH66N20Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,508

IXFH67N10

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,142

IXFH67N10Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,228

IXFH69N30P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 69A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,766

IXFH6N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存15,072

IXFH6N100F

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

制造商: IXYS-RF
系列: HiPerRF™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,348

IXFH6N100Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,506

IXFH6N120

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,056

IXFH6N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,718

IXFH6N90

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,870

IXFH70N15

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 70A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,268

IXFH70N20Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 70A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,180

IXFH70N30Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 70A TO-247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4735pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXFH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,672

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