晶體管

型號	描述	庫存
NP110N04PUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 390nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,142
NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 297nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,714
NP110N055PUG(1)-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,560
NP110N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,520
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,454
NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 294nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,214
NP15P04SLG(2)-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,982
NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 15A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,364
NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 15A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,574
NP160N04TDG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 160A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,352
NP160N04TUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,286
NP160N04TUJ-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,408
NP160N04TUJ-E2-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,892
NP160N055TUJ-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,254
NP160N055TUJ-E2-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,020
NP160N055TUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 160A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,348
NP180N04TUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 390nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存5,904
NP180N04TUJ-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,316
NP180N04TUJ-E2-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,496
NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 297nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存4,338
NP180N055TUJ-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,038
NP180N055TUJ-E2-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,472
NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 294nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,064
NP20P04SLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 20A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,428
NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 20A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,092
NP22N055SHE-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,688
NP22N055SLE(1)-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,554
NP22N055SLE-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,244
NP22N055SLE-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,210
NP22N055SLE-E2-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,682

NP110N04PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 390nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,142

NP110N04PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 297nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,714

NP110N055PUG(1)-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,560

NP110N055PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,520

NP110N055PUJ-E1B-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,454

NP110N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 294nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,214

NP15P04SLG(2)-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,982

NP15P04SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 15A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,364

NP15P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 15A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,574

NP160N04TDG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 160A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,352

NP160N04TUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,286

NP160N04TUJ-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,408

NP160N04TUJ-E2-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,892

NP160N055TUJ-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,254

NP160N055TUJ-E2-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,020

NP160N055TUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,348

NP180N04TUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 390nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存5,904

NP180N04TUJ-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,316

NP180N04TUJ-E2-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,496

NP180N04TUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 297nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存4,338

NP180N055TUJ-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,038

NP180N055TUJ-E2-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,472

NP180N055TUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 294nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 348W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,064

NP20P04SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 20A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,428

NP20P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 20A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,092

NP22N055SHE-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,688

NP22N055SLE(1)-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,554

NP22N055SLE-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,244

NP22N055SLE-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,210

NP22N055SLE-E2-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,682

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message