晶體管

型號	描述	庫存
NDT452P ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 525pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,606
NDT453N ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,930
NDT454P ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存30,882
NDT455N ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1220pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,686
NDT456P ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存86,502
NDTL01N60ZT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 92pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,994
NDTL01N60ZT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 92pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261) 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,032
NDTL03N150CG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(L) 包裝/箱: TO-3PL	庫存6,714
NDUL03N150CG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(L) 包裝/箱: TO-3PL	庫存9,276
NDUL09N150CG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2025pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF-3 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,508
NIF9N05CLT1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 52V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.69W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,852
NIF9N05CLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 59V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.69W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,030
NIF9N05CLT3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 52V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.69W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,874
NIF9N05CLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 59V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.69W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,878
NILMS4501NR2 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 6V FET功能: Current Sensing 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-PLLP 包裝/箱: 4-PowerDFN	庫存2,100
NILMS4501NR2G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 6V FET功能: Current Sensing 功耗（最大值）: 1.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-PLLP 包裝/箱: 4-PowerDFN	庫存4,446
NMSD200B01-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-363 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	庫存26,892
NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 176W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存6,876
NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 176W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,578
NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,912
NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,804
NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,064
NP100P06PLG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,456
NP109N04PUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,128
NP109N04PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,444
NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,860
NP109N055PUJ-E1B-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,460
NP109N055PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,988
NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,542
NP110N03PUG-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,412

NDT452P

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 525pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,606

NDT453N

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,930

NDT454P

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存30,882

NDT455N

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1220pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,686

NDT456P

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存86,502

NDTL01N60ZT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 92pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,994

NDTL01N60ZT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 92pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,032

NDTL03N150CG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(L)
包裝/箱: TO-3PL

庫存6,714

NDUL03N150CG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(L)
包裝/箱: TO-3PL

庫存9,276

NDUL09N150CG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2025pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF-3
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,508

NIF9N05CLT1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 52V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.69W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,852

NIF9N05CLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 59V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.69W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,030

NIF9N05CLT3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 52V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.69W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,874

NIF9N05CLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 59V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 35V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.69W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,878

NILMS4501NR2

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 6V
FET功能: Current Sensing
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-PLLP
包裝/箱: 4-PowerDFN

庫存2,100

NILMS4501NR2G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 6V
FET功能: Current Sensing
功耗（最大值）: 1.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-PLLP
包裝/箱: 4-PowerDFN

庫存4,446

NMSD200B01-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-363
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

庫存26,892

NP100N04PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 176W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存6,876

NP100N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 176W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,578

NP100P04PDG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,912

NP100P04PLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,804

NP100P06PDG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,064

NP100P06PLG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,456

NP109N04PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,128

NP109N04PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,444

NP109N04PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,860

NP109N055PUJ-E1B-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,460

NP109N055PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,988

NP109N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 189nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,542

NP110N03PUG-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,412

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