晶體管

型號	描述	庫存
NTHD3133PFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,478
NTHD4N02FT1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 910mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,112
NTHD4N02FT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 910mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,156
NTHD4P02FT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,842
NTHD5904NT1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 640mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,914
NTHD5904NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 640mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,238
NTHD5904NT3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 640mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,528
NTHD5904NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 640mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存7,254
NTHL027N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 650V 75A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,140
NTHL033N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 70A 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 188nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6720pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,536
NTHL040N65S3F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 158nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 446W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存9,936
NTHL040N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 650V 65AA TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,640
NTHL050N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SF3 650V 50MOHM E TO247L 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5017pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 378W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,634
NTHL065N65S3F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4075pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 337W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,308
NTHL080N120SC1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SIC MOS TO247 80MW 1200V 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.3V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 348W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存9,084
NTHL082N65S3F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3410pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 313W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,896
NTHL095N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V FRFET,95MO 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 860µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2930pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 272W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,204
NTHL110N65S3F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO247 PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2560pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 240W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,812
NTHL190N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V FRFET,190M 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 430µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 162W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,124
NTHLD040N65S3HF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 650V 65A TO247AD 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,826
NTHS2101PT1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 6.4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,212
NTHS2101PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 6.4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,564
NTHS4101PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存149,058
NTHS4111PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,784
NTHS4166NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,572
NTHS4501NT1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,208
NTHS4501NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,508
NTHS5402T1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,814
NTHS5404T1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,114
NTHS5441PT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,544

NTHD3133PFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,478

NTHD4N02FT1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 910mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,112

NTHD4N02FT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 910mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,156

NTHD4P02FT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,842

NTHD5904NT1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 640mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,914

NTHD5904NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 640mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,238

NTHD5904NT3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 640mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,528

NTHD5904NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 640mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存7,254

NTHL027N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 650V 75A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,140

NTHL033N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 70A

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 188nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6720pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,536

NTHL040N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 158nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5940pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 446W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存9,936

NTHL040N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 650V 65AA TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,640

NTHL050N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SF3 650V 50MOHM E TO247L

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5017pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 378W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,634

NTHL065N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4075pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 337W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,308

NTHL080N120SC1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SIC MOS TO247 80MW 1200V

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.3V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 348W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存9,084

NTHL082N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3410pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,896

NTHL095N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V FRFET,95MO

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 860µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2930pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 272W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,204

NTHL110N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO247 PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2560pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 240W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,812

NTHL190N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V FRFET,190M

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 430µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 162W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,124

NTHLD040N65S3HF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 650V 65A TO247AD

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,826

NTHS2101PT1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 6.4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,212

NTHS2101PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 6.4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,564

NTHS4101PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存149,058

NTHS4111PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,784

NTHS4166NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,572

NTHS4501NT1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,208

NTHS4501NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,508

NTHS5402T1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,814

NTHS5404T1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,114

NTHS5441PT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,544

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