晶體管

型號	描述	庫存
ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 625mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,346,226
ZXMN6A07FTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 625mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,628
ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89-3 包裝/箱: TO-243AA	庫存88,920
ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存2,106
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存1,117,716
ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存2,682
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60VSOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,156
ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETN-CH 60VSOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,634
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存206,904
ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.36A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.12W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存68,814
ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1407pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存228,018
ZXMN6A09KQTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1426pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 10.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,412
ZXMN6A09KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1426pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.15W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,568
ZXMN6A10N8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,384
ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存73,182
ZXMN6A11GTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,538
ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89-3 包裝/箱: TO-243AA	庫存270,330
ZXMN6A25G Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,034
ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存104,262
ZXMN6A25K Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,780
ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存23,082
ZXMN6A25N8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,064
ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 298pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存173,628
ZXMN7A11KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 298pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存42,444
ZXMNS3BM832TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 314pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-MLP, MicroFET (3x2) 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad	庫存7,308
ZXMP10A13FQTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 141pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 625mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存272,910
ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 141pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 625mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,489,982
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 717pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.15W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存47,184
ZXMP10A17E6QTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存173,052
ZXMP10A17E6TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存577,782

ZXMN6A07FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,346,226

ZXMN6A07FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,628

ZXMN6A07ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 166pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89-3
包裝/箱: TO-243AA

庫存88,920

ZXMN6A08E6QTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存2,106

ZXMN6A08E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存1,117,716

ZXMN6A08E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存2,682

ZXMN6A08GQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60VSOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,156

ZXMN6A08GQTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETN-CH 60VSOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,634

ZXMN6A08GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存206,904

ZXMN6A08KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.36A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 459pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.12W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存68,814

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1407pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存228,018

ZXMN6A09KQTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1426pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 10.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,412

ZXMN6A09KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1426pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.15W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,568

ZXMN6A10N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,384

ZXMN6A11GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存73,182

ZXMN6A11GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,538

ZXMN6A11ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89-3
包裝/箱: TO-243AA

庫存270,330

ZXMN6A25G

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,034

ZXMN6A25GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存104,262

ZXMN6A25K

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,780

ZXMN6A25KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存23,082

ZXMN6A25N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,064

ZXMN7A11GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 298pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存173,628

ZXMN7A11KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 298pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存42,444

ZXMNS3BM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 314pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-MLP, MicroFET (3x2)
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad

庫存7,308

ZXMP10A13FQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 141pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存272,910

ZXMP10A13FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 141pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,489,982

ZXMP10A16KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 717pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.15W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存47,184

ZXMP10A17E6QTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存173,052

ZXMP10A17E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存577,782

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