晶體管

型號	描述	庫存
ZXMP6A17E6TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-26 包裝/箱: SOT-23-6	庫存2,802,402
ZXMP6A17GQTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,256
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存719,148
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存50,532
ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,290
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.15W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存22,866
ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存14,358
ZXMP7A17GQTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T& 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,012
ZXMP7A17GTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存20,874
ZXMP7A17KQTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,754
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.11W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存227,916
FII24N170AH1 IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT 1700V 18A I4PAK 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A 功率-最大: 140W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-4, Isolated 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存3,562
FII24N17AH1 IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A 功率-最大: 140W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存2,340
FII24N17AH1S IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A 功率-最大: 140W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存2,880
FII30-06D IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 功率-最大: 100W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A 當前-集電極截止（最大值）: 600µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存3,006
FII30-12E IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A 功率-最大: 150W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 20A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存5,814
FII40-06D IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT 600V 40A I-PACK 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 功率-最大: 125W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 600µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存8,046
FII50-12E IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 200W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 400µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: i4-Pac™-5 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™	庫存5,886
IXA20PG1200DHG-TRR IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT MODULE 1200V 105A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A 功率-最大: 130W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 125µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存8,316
IXA20PG1200DHG-TUB IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT MODULE 1200V 105A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A 功率-最大: 130W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 125µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存7,632
IXA30PG1200DHG-TRR IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A 功率-最大: 150W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 2.1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存2,142
IXA30PG1200DHG-TUB IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A 功率-最大: 150W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 2.1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存7,002
IXA40PG1200DHG-TRR IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A 功率-最大: 230W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存2,898
IXA40PG1200DHG-TUB IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A 功率-最大: 230W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存7,092
IXA40RG1200DHG-TRR IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: ISOPLUS™ IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A 功率-最大: 230W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存5,148
IXA40RG1200DHG-TUB IXYS	晶體管-IGBT-陣列 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD 制造商: IXYS 系列: ISOPLUS™ IGBT類型: PT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A 功率-最大: 230W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 9-SMD Module 供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B	庫存3,492
MMIX4B20N300 IXYS	晶體管-IGBT-陣列 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: BIMOSFET™ IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A 功率-最大: 150W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 20A 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 24-SMD Module, 9 Leads 供應商設備包裝: 24-SMPD	庫存4,986
MMIX4B22N300 IXYS	晶體管-IGBT-陣列 TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET 制造商: IXYS 系列: * IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: - NTC熱敏電阻: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,192
MMIX4G20N250 IXYS	晶體管-IGBT-陣列 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: - IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 功率-最大: 100W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 20A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 24-SMD Module, 9 Leads 供應商設備包裝: 24-SMPD	庫存3,546
1MS08017E32W31490NOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT STACK A-MS2-1 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: - NTC熱敏電阻: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,930

ZXMP6A17E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-26
包裝/箱: SOT-23-6

庫存2,802,402

ZXMP6A17GQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,256

ZXMP6A17GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存719,148

ZXMP6A17KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存50,532

ZXMP6A17N8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 637pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,290

ZXMP6A18KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.15W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存22,866

ZXMP7A17GQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存14,358

ZXMP7A17GQTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,012

ZXMP7A17GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存20,874

ZXMP7A17KQTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,754

ZXMP7A17KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 635pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.11W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存227,916

FII24N170AH1

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT 1700V 18A I4PAK

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
功率-最大: 140W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-4, Isolated
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存3,562

FII24N17AH1

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
功率-最大: 140W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存2,340

FII24N17AH1S

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
功率-最大: 140W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 16A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存2,880

FII30-06D

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
功率-最大: 100W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
當前-集電極截止（最大值）: 600µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存3,006

FII30-12E

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
功率-最大: 150W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 20A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存5,814

FII40-06D

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT 600V 40A I-PACK

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
功率-最大: 125W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 600µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存8,046

FII50-12E

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 200W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 400µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: i4-Pac™-5
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

庫存5,886

IXA20PG1200DHG-TRR

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT MODULE 1200V 105A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
功率-最大: 130W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 125µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存8,316

IXA20PG1200DHG-TUB

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT MODULE 1200V 105A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
功率-最大: 130W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 125µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存7,632

IXA30PG1200DHG-TRR

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
功率-最大: 150W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 2.1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存2,142

IXA30PG1200DHG-TUB

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
功率-最大: 150W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 2.1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存7,002

IXA40PG1200DHG-TRR

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
功率-最大: 230W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存2,898

IXA40PG1200DHG-TUB

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
功率-最大: 230W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存7,092

IXA40RG1200DHG-TRR

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: ISOPLUS™
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
功率-最大: 230W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存5,148

IXA40RG1200DHG-TUB

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

制造商: IXYS
系列: ISOPLUS™
IGBT類型: PT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
功率-最大: 230W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 9-SMD Module
供應商設備包裝: ISOPLUS-SMPD™.B

庫存3,492

MMIX4B20N300

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: BIMOSFET™
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
功率-最大: 150W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 20A
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 24-SMD Module, 9 Leads
供應商設備包裝: 24-SMPD

庫存4,986

MMIX4B22N300

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET

制造商: IXYS
系列: *
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: -
NTC熱敏電阻: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,192

MMIX4G20N250

IXYS

晶體管-IGBT-陣列

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: -
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
功率-最大: 100W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 20A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 24-SMD Module, 9 Leads
供應商設備包裝: 24-SMPD

庫存3,546

1MS08017E32W31490NOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT STACK A-MS2-1

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: -
NTC熱敏電阻: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,930

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