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晶體管

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頁面 1943/2164
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型號
描述
庫存
數量
ZXMN2B03E6TA
ZXMN2B03E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1160pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存6,174
ZXMN2B14FHTA
ZXMN2B14FHTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 872pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,994
ZXMN2F30FHQTA
ZXMN2F30FHQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 452pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,528
ZXMN2F30FHTA
ZXMN2F30FHTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 452pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 960mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,042,926
ZXMN2F34FHTA
ZXMN2F34FHTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 277pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 950mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存668,262
ZXMN2F34MATA
ZXMN2F34MATA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 277pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.35W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DFN322
  • 包裝/箱: 3-VDFN
庫存5,202
ZXMN3A01E6TA
ZXMN3A01E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 190pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存287,166
ZXMN3A01E6TC
ZXMN3A01E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 190pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存3,276
ZXMN3A01FTA
ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 190pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,178,132
ZXMN3A01FTC
ZXMN3A01FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 190pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,760
ZXMN3A01ZTA
ZXMN3A01ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 186pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 970mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-89
  • 包裝/箱: TO-243AA
庫存6,570
ZXMN3A02N8TA
ZXMN3A02N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.56W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存3,348
ZXMN3A02N8TC
ZXMN3A02N8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.56W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存4,266
ZXMN3A02X8TA
ZXMN3A02X8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-MSOP
  • 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
庫存6,084
ZXMN3A02X8TC
ZXMN3A02X8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-MSOP
  • 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
庫存4,644
ZXMN3A03E6TA
ZXMN3A03E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存173,160
ZXMN3A03E6TC
ZXMN3A03E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存4,050
ZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 36.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1890pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.15W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,428
ZXMN3A05N8TA
ZXMN3A05N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存8,838
ZXMN3A14FQTA
ZXMN3A14FQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 448pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,024
ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 448pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存51,102
ZXMN3B01FTA
ZXMN3B01FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.93nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 258pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存299,058
ZXMN3B01FTC
ZXMN3B01FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 供應商設備包裝: -
  • 包裝/箱: -
庫存25,382
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2480pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存21,468
ZXMN3B04N8TC
ZXMN3B04N8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2480pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存4,176
ZXMN3B14FTA
ZXMN3B14FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 568pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,029,378
ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30FHTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 318pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 950mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存288,342
ZXMN4A06GTA
ZXMN4A06GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.2nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 770pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-223
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
庫存550,950
ZXMN4A06KTC
ZXMN4A06KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17.1nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 827pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.15W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,832
ZXMN6A07FQTA
ZXMN6A07FQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.2nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 166pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存8,856