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晶體管

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頁面 1942/2164
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型號
描述
庫存
數量
ZXMN10A07FTC
ZXMN10A07FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 700mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 138pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存4,338
ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07ZTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 138pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-89-3
  • 包裝/箱: TO-243AA
庫存151,710
ZXMN10A08E6TA
ZXMN10A08E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 405pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-26
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存228,228
ZXMN10A08E6TC
ZXMN10A08E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 405pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-26
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存6,678
ZXMN10A08GTA
ZXMN10A08GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 405pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-223
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
庫存185,766
ZXMN10A09KTC
ZXMN10A09KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1313pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.15W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存24,114
ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.4nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 274pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-223
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
庫存58,824
ZXMN10A11GTC
ZXMN10A11GTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.4nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 274pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-223
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
庫存6,606
ZXMN10A11K
ZXMN10A11K

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.4nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 274pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.11W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存17,304
ZXMN10A11KTC
ZXMN10A11KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.4nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 274pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.11W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-2
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,132
ZXMN10A25GTA
ZXMN10A25GTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 859pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-223
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
庫存55,992
ZXMN10A25K
ZXMN10A25K

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17.16nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 859pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.11W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,112
ZXMN10A25KTC
ZXMN10A25KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17.16nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 859pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.11W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,550
ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B08E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.3V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9.2nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 497pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-26
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存128,424
ZXMN10B08E6TC
ZXMN10B08E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.3V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9.2nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 497pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-26
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存5,022
ZXMN15A27KTC
ZXMN15A27KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 150V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 169pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,362
ZXMN2069FTA
ZXMN2069FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存25,314
ZXMN20B28KTC
ZXMN20B28KTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.1nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 358pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-252-3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存24,666
ZXMN2A01E6TA
ZXMN2A01E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 303pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存22,116
ZXMN2A01E6TC
ZXMN2A01E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 303pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存3,348
ZXMN2A01FTA
ZXMN2A01FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 303pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,103,394
ZXMN2A01FTC
ZXMN2A01FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 303pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,924
ZXMN2A02N8TA
ZXMN2A02N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 11A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1900pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.56W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存13,440
ZXMN2A02X8TA
ZXMN2A02X8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 11A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1900pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-MSOP
  • 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
庫存7,080
ZXMN2A02X8TC
ZXMN2A02X8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 11A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1900pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-MSOP
  • 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
庫存2,448
ZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 837pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存2,790
ZXMN2A03E6TC
ZXMN2A03E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 837pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6
庫存7,146
ZXMN2A05N8TA
ZXMN2A05N8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存8,280
ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 700mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 544pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存43,902
ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 370pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 625mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存602,100