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晶體管

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描述
庫存
數量
APTGT50DA170T1G
APTGT50DA170T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 75A 312W SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存4,230
APTGT50DA170TG
APTGT50DA170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 75A 312W SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存4,356
APTGT50DDA120T3G
APTGT50DDA120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual Boost Chopper
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存1,696
APTGT50DDA60T3G
APTGT50DDA60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual Boost Chopper
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存4,667
APTGT50DH120T3G
APTGT50DH120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 75A SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Asymmetrical Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存7,002
APTGT50DH120TG
APTGT50DH120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Asymmetrical Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存5,292
APTGT50DH170TG
APTGT50DH170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Asymmetrical Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存4,806
APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 80A SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Asymmetrical Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存4,518
APTGT50DH60TG
APTGT50DH60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Asymmetrical Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存3,582
APTGT50DSK120T3G
APTGT50DSK120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual Buck Chopper
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存5,328
APTGT50DSK60T3G
APTGT50DSK60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual Buck Chopper
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存8,406
APTGT50DU120TG
APTGT50DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual, Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存5,040
APTGT50DU170TG
APTGT50DU170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Dual, Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存8,388
APTGT50H120T3G
APTGT50H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存3,276
APTGT50H120TG
APTGT50H120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存3,294
APTGT50H170TG
APTGT50H170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存7,470
APTGT50H60RT3G
APTGT50H60RT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Single Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存4,698
APTGT50H60T1G
APTGT50H60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存8,910
APTGT50H60T2G
APTGT50H60T2G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 80A SP2

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP2
  • 供應商設備包裝: SP2
庫存4,590
APTGT50H60T3G
APTGT50H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Full Bridge Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP3
  • 供應商設備包裝: SP3
庫存4,194
APTGT50SK120D1G
APTGT50SK120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 270W D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 270W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存2,520
APTGT50SK120TG
APTGT50SK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 277W SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 277W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存8,730
APTGT50SK170D1G
APTGT50SK170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 70A 310W D1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 310W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 6mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: D1
  • 供應商設備包裝: D1
庫存4,428
APTGT50SK170T1G
APTGT50SK170T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 75A 312W SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存4,284
APTGT50SK170TG
APTGT50SK170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 75A 312W SP4

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 312W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP4
  • 供應商設備包裝: SP4
庫存6,984
APTGT50TA170PG
APTGT50TA170PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Three Phase
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 310W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6-P
庫存6,966
APTGT50TA60PG
APTGT50TA60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Three Phase
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6-P
庫存6,228
APTGT50TDU170PG
APTGT50TDU170PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Triple, Dual - Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 310W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.4nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6-P
庫存4,410
APTGT50TDU60PG
APTGT50TDU60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Triple, Dual - Common Source
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP6
  • 供應商設備包裝: SP6-P
庫存7,650
APTGT50TL601G
APTGT50TL601G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Three Level Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 功率-最大: 176W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SP1
  • 供應商設備包裝: SP1
庫存4,212