晶體管

型號	描述	庫存
APTGV50H120BTPG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 270W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,988
APTGV50H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 270W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,316
APTGV50H60BG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,168
APTGV50H60BT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,610
APTGV50H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,460
APTGV75H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,088
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Single Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 205A 功率-最大: 835W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存4,968
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 830W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存4,968
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 830W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,760
BSM100GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 800W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 2mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,670
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A 功率-最大: 700W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 2mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存4,104
BSM100GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 960W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,892
BSM100GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT 1700V 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A 功率-最大: 1000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 16nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,814
BSM100GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE 600V 130A 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 445W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,730
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 12.2µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存2,950
BSM100GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 680W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 2mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,244
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 430W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,780
BSM100GP60BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 420W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Three Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存6,156
BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: - NTC熱敏電阻: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,418
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 功率-最大: 80W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 400µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 530pF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,036
BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 功率-最大: 100W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 600pF @ 25V 輸入: Three Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存7,776
BSM10GP60BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 功率-最大: 80W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 600pF @ 25V 輸入: Three Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,280
BSM150GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 11nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存280
BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 2.8mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 11nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,920
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT AG-62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 300µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: -	庫存3,726
BSM150GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 300µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存6,876
BSM150GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT 1700V 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A 功率-最大: 1250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 1.5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存7,758
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE 600V 180A 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A 功率-最大: 595W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存159
BSM150GD60DLC Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A 功率-最大: 570W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,874
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A 功率-最大: 145W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 76µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,472

APTGV50H120BTPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 270W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,988

APTGV50H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 270W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,316

APTGV50H60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,168

APTGV50H60BT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT 600V SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,610

APTGV50H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,460

APTGV75H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,088

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 205A
功率-最大: 835W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存4,968

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 830W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存4,968

BSM100GB120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 830W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,760

BSM100GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 800W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 2mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,670

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A
功率-最大: 700W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 2mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存4,104

BSM100GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 960W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,892

BSM100GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 1700V

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A
功率-最大: 1000W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 16nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,814

BSM100GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 600V 130A

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 445W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,730

BSM100GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 12.2µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存2,950

BSM100GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 680W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 2mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,244

BSM100GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 430W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,780

BSM100GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 420W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存6,156

BSM10GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: -
NTC熱敏電阻: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,418

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
功率-最大: 80W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 400µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 530pF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,036

BSM10GP120BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
功率-最大: 100W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 600pF @ 25V
輸入: Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存7,776

BSM10GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
功率-最大: 80W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 600pF @ 25V
輸入: Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,280

BSM150GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 11nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存280

BSM150GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 2.8mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 11nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,920

BSM150GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT AG-62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 300µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: -

庫存3,726

BSM150GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 300µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存6,876

BSM150GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 1700V

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
功率-最大: 1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 1.5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存7,758

BSM150GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 600V 180A

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A
功率-最大: 595W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存159

BSM150GD60DLC

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT BSM150GD60DLCBOSA1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A
功率-最大: 570W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,874

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
功率-最大: 145W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 76µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,472

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