晶體管

CM800HA-24H

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: IGBTMOD™
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800A
• 功率-最大: 4800W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 800A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 180nF @ 10V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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CM800HA-28H

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: IGBTMOD™
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800A
• 功率-最大: 4800W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 800A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 172nF @ 10V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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CM900DU-24NF

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: IGBTMOD™
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 900A
• 功率-最大: 2550W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 900A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 140nF @ 10V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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CM900DUC-24NF

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD MPD DUAL 900A 1200V

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: IGBTMOD™
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 900A
• 功率-最大: 5900W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 900A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 140nF @ 10V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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CP10TD1-24A

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

DIP-CIB MOD 1200V 10A

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 功率-最大: 96W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.04nF @ 25V
• 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 26-DIP Module
• 供應商設備包裝: -

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CP15TD1-24A

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

DIP-CIB MOD 1200V 15A

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 功率-最大: 113W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.24nF @ 10V
• 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 26-DIP Module
• 供應商設備包裝: -

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CP20TD1-12A

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

DIP-CIB MOD 600V 20A

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 功率-最大: 96W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.57nF @ 10V
• 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 26-DIP Module
• 供應商設備包裝: -

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CP25TD1-24A

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

DIP-CIB MOD 1200V 25A

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 功率-最大: 138W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.94nF @ 10V
• 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 26-DIP Module
• 供應商設備包裝: -

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CP30TD1-12A

Powerex Inc.

晶體管-IGBT-模塊

DIP-CIB MOD 600V 30A

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 功率-最大: 114W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.36nF @ 10V
• 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 26-DIP Module
• 供應商設備包裝: -

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CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8.8A
• 功率-最大: 23W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.66V @ 15V, 8.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.34nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.7A
• 功率-最大: 23W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.93V @ 15V, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.45nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7.2A
• 功率-最大: 23W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.53nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 功率-最大: 36W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.63V @ 15V, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 11A
• 功率-最大: 36W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 11A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.74nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 功率-最大: 36W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 13A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A
• 功率-最大: 63W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 27A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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CPV364M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 功率-最大: 63W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.84V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.1nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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DD1200S12H4HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MOD DIODE 1200A IHMB130-2

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: 2 Independent
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1200A
• 功率-最大: 1200000W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 1200A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DD800S45KL3B5NPSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1800V IHV130-4

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: 2 Independent
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800A
• 功率-最大: 1600W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -50°C ~ 125°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB2U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 800V 50A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: 3 Independent
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 功率-最大: 83.5W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.55V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 880pF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: 2 Independent
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U100N16RRBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: EconoBRIDGE™
• IGBT類型: -
• 配置: Single Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 功率-最大: 350W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 20V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U134N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT DDB6U134N16RRB11BPSA1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: -
• NTC熱敏電阻: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 1600V 134A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 功率-最大: 500W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.75V @ 15V, 70A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U180N16RR

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT DDB6U180N16RRBPSA1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual Brake Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 515W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U180N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: 3 Independent
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 515W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U180N16RRB37BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: -
• NTC熱敏電阻: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter with Brake
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26A
• 功率-最大: 83.5W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.55V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 880pF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 69A
• 功率-最大: 335W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 69A
• 功率-最大: 335W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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