晶體管

VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 功率-最大: 463W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 功率-最大: 463W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A
• 功率-最大: 652W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.8nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 功率-最大: 417W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.71nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT105LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 功率-最大: 463W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 75µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 功率-最大: 463W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 75µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT120DA65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: FRED Pt®
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single Switch
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 167A
• 功率-最大: 577W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.6nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT140DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 200A 652W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 功率-最大: 652W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 288A
• 功率-最大: 1087W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT180DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: HEXFRED®
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 281A
• 功率-最大: 1087W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9350pF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GT200TP065N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 221A
• 功率-最大: 600W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.12V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 60µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 379A 1250W DIAP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 379A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 23.3nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
• 供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK

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VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 341A
• 功率-最大: 1042W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
• 當前-集電極截止（最大值）: 300µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 36nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

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VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600A
• 功率-最大: 2119W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 400A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 28.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

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VS-GT400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 750A 2344W DIAP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 750A
• 功率-最大: 2344W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 400A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 51.2nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

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VS-GT400TH60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 530A 1600W DIAP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 530A
• 功率-最大: 1600W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 400A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 30.8nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

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VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 功率-最大: 405W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.24nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 85A
• 功率-最大: 208W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.03nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 543W

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 543W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 75A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.52nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT75NP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 446W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.45nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: HEXFRED®
• IGBT類型: Trench
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 139A
• 功率-最大: 658W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.55V @ 15V, 80A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.4nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VWI15-12P1

IXYS

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 功率-最大: 90W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.6nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ECO-PAC2
• 供應商設備包裝: ECO-PAC2

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VWI20-06P1

IXYS

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 19A
• 功率-最大: 73W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 600µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.6nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ECO-PAC2
• 供應商設備包裝: ECO-PAC2

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VWI35-06P1

IXYS

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 功率-最大: 100W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 600µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ECO-PAC2
• 供應商設備包裝: ECO-PAC2

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VWI3X20-06P1

IXYS

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ECO-PAC1
• 供應商設備包裝: ECO-PAC1

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VWI6-12P1

IXYS

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 功率-最大: 40W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.6V @ 15V, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.205nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: ECO-PAC2
• 供應商設備包裝: ECO-PAC2

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63-7000PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V COPAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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92-0065

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT STD 600V 60A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 31A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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92-0235

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 430V 20A 125W TO220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.75V @ 5V, 14A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 27nC
• 25°C時的Td（開/關）: 900ns/6µs
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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AFGB30T65SQDN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V/30A FS4 IGBT TO263 A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 220W
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: 56nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14.5ns/63.2ns
• 測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 245ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)

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