晶體管

型號	描述	庫存
VS-GB400TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 660A 功率-最大: 2660W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 33.7nF @ 30V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK	庫存7,794
VS-GB50LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 84A 431W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A 功率-最大: 431W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存4,644
VS-GB50LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 446W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ) 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.29nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存3,526
VS-GB50NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 84A 431W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A 功率-最大: 431W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存2,844
VS-GB50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 446W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.29nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存5,778
VS-GB50YF120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 66A 330W ECONO 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 66A 功率-最大: 330W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: ECONO2 4PACK	庫存2,700
VS-GB55LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: HEXFRED® IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A 功率-最大: 431W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存3,490
VS-GB55NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: HEXFRED® IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A 功率-最大: 431W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存4,320
VS-GB600AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 910A 功率-最大: 3125W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ) 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 41nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Double INT-A-PAK (5) 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK	庫存3,312
VS-GB70LA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 111A 447W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 111A 功率-最大: 447W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.44V @ 15V, 70A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存6,948
VS-GB70NA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 111A 447W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 111A 功率-最大: 447W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.44V @ 15V, 70A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,452
VS-GB75DA120UP Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: 658W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存8,964
VS-GB75LA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 109A 功率-最大: 447W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,038
VS-GB75LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A 功率-最大: 658W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ) 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.52nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存6,228
VS-GB75NA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 109A 功率-最大: 447W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,974
VS-GB75SA120UP Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 MODULE IGBT SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: 658W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,274
VS-GB75TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.52nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存2,736
VS-GB75TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 105A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ) 當前-集電極截止（最大值）: 2mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 30V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存4,644
VS-GB75YF120N Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 480W ECONO 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: ECONO2 4PACK	庫存3,690
VS-GB75YF120UT Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 480W ECONO 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: - 配置: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: ECONO2 4PACK	庫存3,546
VS-GB90DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 149A 862W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A 功率-最大: 862W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存2,491
VS-GB90DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 147A 功率-最大: 625W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4 供應商設備包裝: SOT-227	庫存8,154
VS-GB90SA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A 功率-最大: 862W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4 供應商設備包裝: SOT-227	庫存3,474
VS-GP100TS60SFPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: PT, Trench 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 337A 功率-最大: 781W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.34V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: INT-A-Pak 供應商設備包裝: INT-A-PAK	庫存4,572
VS-GP250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 380A 893W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: PT, Trench 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 380A 功率-最大: 893W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存3,564
VS-GP300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: PT, Trench 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 580A 功率-最大: 1136W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.45V @ 15V, 300A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK	庫存5,814
VS-GP400TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: PT, Trench 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 758A 功率-最大: 1563W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.52V @ 15V, 400A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK	庫存6,570
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: Trench 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 258A 功率-最大: 893W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存4,536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: HEXFRED® IGBT類型: Trench 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 187A 功率-最大: 890W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.55V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,634
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 184A 577W SOT-227 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division 系列: - IGBT類型: Trench 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 184A 功率-最大: 577W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,742

VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 660A
功率-最大: 2660W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 33.7nF @ 30V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

庫存7,794

VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
功率-最大: 431W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存4,644

VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 446W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.29nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存3,526

VS-GB50NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
功率-最大: 431W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存2,844

VS-GB50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 446W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.29nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存5,778

VS-GB50YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 66A 330W ECONO

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 66A
功率-最大: 330W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: ECONO2 4PACK

庫存2,700

VS-GB55LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: HEXFRED®
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
功率-最大: 431W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存3,490

VS-GB55NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: HEXFRED®
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
功率-最大: 431W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存4,320

VS-GB600AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 910A
功率-最大: 3125W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ)
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 41nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Double INT-A-PAK (5)
供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

庫存3,312

VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 111A
功率-最大: 447W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.44V @ 15V, 70A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存6,948

VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 111A
功率-最大: 447W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.44V @ 15V, 70A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,452

VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: 658W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存8,964

VS-GB75LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 109A
功率-最大: 447W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,038

VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A
功率-最大: 658W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.52nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存6,228

VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 109A
功率-最大: 447W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,974

VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: 658W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,274

VS-GB75TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.52nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存2,736

VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 105A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ)
當前-集電極截止（最大值）: 2mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 30V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存4,644

VS-GB75YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: ECONO2 4PACK

庫存3,690

VS-GB75YF120UT

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: -
配置: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: ECONO2 4PACK

庫存3,546

VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A
功率-最大: 862W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存2,491

VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 147A
功率-最大: 625W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4
供應商設備包裝: SOT-227

庫存8,154

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A
功率-最大: 862W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4
供應商設備包裝: SOT-227

庫存3,474

VS-GP100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: PT, Trench
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 337A
功率-最大: 781W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.34V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: INT-A-Pak
供應商設備包裝: INT-A-PAK

庫存4,572

VS-GP250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 380A 893W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: PT, Trench
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 380A
功率-最大: 893W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存3,564

VS-GP300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: PT, Trench
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 580A
功率-最大: 1136W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.45V @ 15V, 300A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK

庫存5,814

VS-GP400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: PT, Trench
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 758A
功率-最大: 1563W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.52V @ 15V, 400A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK

庫存6,570

VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: Trench
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 258A
功率-最大: 893W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存4,536

VS-GT100DA120UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: HEXFRED®
IGBT類型: Trench
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 187A
功率-最大: 890W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.55V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,634

VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 184A 577W SOT-227

制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
系列: -
IGBT類型: Trench
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 184A
功率-最大: 577W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,742

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