晶體管

VS-CPV362M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8.8A
• 功率-最大: 23W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 4.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.34nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV362M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: -
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7.2A
• 功率-最大: 23W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 3.9A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.53nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV363M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: -
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 11A
• 功率-最大: 36W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 0.74nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 功率-最大: 36W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 6.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A
• 功率-最大: 63W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV364M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 功率-最大: 63W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 24A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-CPV364M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 功率-最大: 63W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.1nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 供應商設備包裝: IMS-2

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VS-EMF050J60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 88A
• 功率-最大: 338W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.5nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK2
• 供應商設備包裝: EMIPAK2

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VS-EMG050J60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 88A
• 功率-最大: 338W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.5nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK2
• 供應商設備包裝: EMIPAK2

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VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 61A
• 功率-最大: 216W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.52V @ 15V, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 230µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.34nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK-1B
• 供應商設備包裝: EMIPAK-1B

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VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 109A
• 功率-最大: 294W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.93V @ 15V, 75A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.44nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK-2B
• 供應商設備包裝: EMIPAK-2B

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VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: FRED Pt®
• IGBT類型: NPT
• 配置: Half Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 201A
• 功率-最大: 600W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.17V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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VS-ETF150Y65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 142A
• 功率-最大: 417W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.06V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.6nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK-2B
• 供應商設備包裝: EMIPAK-2B

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VS-ETL015Y120H

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A
• 功率-最大: 89W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.03V @ 15V, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 75µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.07nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: EMIPAK-2B
• 供應商設備包裝: EMIPAK-2B

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VS-ETY020P120F

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 2B

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: -
• NTC熱敏電阻: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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VS-GA100NA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 250W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 功率-最大: 250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.4nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GA100TS120UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 182A
• 功率-最大: 520W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.67nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 220A 780W

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
• 功率-最大: 780W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.28V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 16.25nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GA100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
• 功率-最大: 780W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.28V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 16.25nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GA200HS60S1

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 480A 830W

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 480A
• 功率-最大: 830W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.21V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 32.5nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GA200HS60S1PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 480A
• 功率-最大: 830W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.21V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 32.5nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: INT-A-Pak
• 供應商設備包裝: INT-A-PAK

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VS-GA200SA60SP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 功率-最大: 781W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.3V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 16.25nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GA200SA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 200A 500W SOT-227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 功率-最大: 500W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 16.5nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GA200TH60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 260A
• 功率-最大: 1042W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 13.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
• 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK

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VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 400A SOT227

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 961W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.66V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 16.25nF @ 30V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4
• 供應商設備包裝: SOT-227

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VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 530A
• 功率-最大: 1136W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.45V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK

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VS-GA400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 750A
• 功率-最大: 1563W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.52V @ 15V, 400A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
• 供應商設備包裝: Dual INT-A-PAK

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VS-GB05XP120KTPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MODULE MTP SWITCH

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 功率-最大: 76W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: -
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 12-MTP Module
• 供應商設備包裝: MTP

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