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晶體管

記錄 64,903
頁面 2023/2164
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型號
描述
庫存
數量
VS-GB100DA60UP
VS-GB100DA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT SOT-227

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 125A
  • 功率-最大: 447W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.8V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 100µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
  • 供應商設備包裝: SOT-227
庫存6,552
VS-GB100LH120N
VS-GB100LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 833W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 8.96nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存7,560
VS-GB100LP120N
VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 658W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 7.43nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-Pak
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存4,806
VS-GB100NH120N
VS-GB100NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 833W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.35V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 8.58nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存7,740
VS-GB100TH120N
VS-GB100TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 833W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.35V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 8.58nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存5,058
VS-GB100TH120U
VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 1136W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 8.45nF @ 20V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存6,066
VS-GB100TP120N
VS-GB100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 200A
  • 功率-最大: 650W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.2V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 7.43nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-Pak
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存2,718
VS-GB100TP120U
VS-GB100TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 150A
  • 功率-最大: 735W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 2mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 4.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-Pak
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存5,886
VS-GB100TS120NPBF
VS-GB100TS120NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 200A INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: *
  • IGBT類型: -
  • 配置: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 功率-最大: -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: -
  • NTC熱敏電阻: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,886
VS-GB100TS60NPBF
VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 108A
  • 功率-最大: 390W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.85V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 100µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-Pak
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存8,658
VS-GB100YG120NT
VS-GB100YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 127A
  • 功率-最大: 625W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 4V @ 15V, 100A
  • 當前-集電極截止(最大值): 80µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: ECONO3 4PACK
庫存2,142
VS-GB150LH120N
VS-GB150LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 300A
  • 功率-最大: 1389W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 10.6nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存3,006
VS-GB150TH120N
VS-GB150TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 300A
  • 功率-最大: 1008W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.35V @ 15V, 150A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 11nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存6,822
VS-GB150TH120U
VS-GB150TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 280A
  • 功率-最大: 1147W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 150A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 12.7nF @ 30V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存7,200
VS-GB150TS60NPBF
VS-GB150TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 138A
  • 功率-最大: 500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 150A
  • 當前-集電極截止(最大值): 200µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存2,124
VS-GB150YG120NT
VS-GB150YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 182A
  • 功率-最大: 892W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 4V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 120µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: ECONO3 4PACK
庫存7,308
VS-GB15XP120KTPBF
VS-GB15XP120KTPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 30A 187W MTP

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 功率-最大: 187W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.66V @ 15V, 30A
  • 當前-集電極截止(最大值): 250µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.95nF @ 30V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: 12-MTP Module
  • 供應商設備包裝: MTP
庫存5,022
VS-GB200LH120N
VS-GB200LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 370A
  • 功率-最大: 1562W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 18nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存4,104
VS-GB200NH120N
VS-GB200NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 420A
  • 功率-最大: 1562W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 18nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存3,816
VS-GB200TH120N
VS-GB200TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 360A
  • 功率-最大: 1136W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.35V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 14.9nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存2,646
VS-GB200TH120U
VS-GB200TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 330A
  • 功率-最大: 1316W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 16.9nF @ 30V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存2,250
VS-GB200TS60NPBF
VS-GB200TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 209A
  • 功率-最大: 781W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.84V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 200µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: INT-A-PAK
庫存3,546
VS-GB300AH120N
VS-GB300AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 620A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 21nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (5)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存5,670
VS-GB300LH120N
VS-GB300LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1645W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 21.2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存2,412
VS-GB300NH120N
VS-GB300NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1645W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 21.2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存4,608
VS-GB300TH120N
VS-GB300TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500A
  • 功率-最大: 1645W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 21.2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存7,650
VS-GB300TH120U
VS-GB300TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 530A
  • 功率-最大: 2119W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 25.3nF @ 30V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存2,286
VS-GB400AH120N
VS-GB400AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 650A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 30nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (5)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存2,466
VS-GB400AH120U
VS-GB400AH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 2841W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 33.7nF @ 30V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (5)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存6,516
VS-GB400TH120N
VS-GB400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 800A
  • 功率-最大: 2604W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 32.7nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供應商設備包裝: Double INT-A-PAK
庫存7,992