晶體管

FGPF70N30TDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 49.2W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 49.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGPF70N30TTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 49.2W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 49.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGPF70N33BTTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 48W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 48W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGPF7N60LSDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 45W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 21A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 120ns/410ns
• 測試條件: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 65ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGPF7N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 41W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 21A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 41W
• 開關能量: 230µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/60ns
• 測試條件: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 65ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGPF90N30

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 56.8W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 56.8W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 93nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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FGS15N40LTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 2W 8SOP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4V, 130A
• 功率-最大: 2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

FS3TIGBT TO247 100A 650V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 157nC
• 25°C時的Td（開/關）: 84ns/216ns
• 測試條件: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 62ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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FGY120T65SPD-F085

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 240A 882W TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 378A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 882W
• 開關能量: 6.8µJ (on), 3.5µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 162nC
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/102ns
• 測試條件: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 123ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Exposed Pad
• 供應商設備包裝: PowerTO-247-3

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FGY160T65SPD-F085

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 480A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 160A
• 功率-最大: 882W
• 開關能量: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/98ns
• 測試條件: 400V, 160A, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 132ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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FGY40T120SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 882W
• 開關能量: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 370nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/475ns
• 測試條件: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 65ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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FGY60T120SQDN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A UFS

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 517W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 311nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/296ns
• 測試條件: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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FGY75N60SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 150A 750W POWER-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 2.3mJ (on), 770µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 248nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/136ns
• 測試條件: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: PowerTO-247-3

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FGY75T120SQDN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A UFS

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 790W
• 開關能量: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 399nC
• 25°C時的Td（開/關）: 64ns/332ns
• 測試條件: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 99ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 950V 75A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 950V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.69V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 453W
• 開關能量: 2mJ (on), 1.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 663.3nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/496ns
• 測試條件: 600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 259ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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FGY75T95SQDT

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 950V 75A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 950V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.11V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 434W
• 開關能量: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 137nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28.8ns/117ns
• 測試條件: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 259ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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FID35-06C

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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FID36-06D

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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FID60-06D

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 1mJ (on), 1.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 30A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 70ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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FIO50-12BD

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 150nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V SOT247

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 35A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 35A
• 功率-最大: -
• 開關能量: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 50nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 36ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AB

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GN2470K4-G

Microchip Technology

晶體管-IGBT-單

IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 3.5A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 13V, 3A
• 功率-最大: 2.5W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 8ns/20ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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GPA015A120MN-ND

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 212W
• 開關能量: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/166ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 320ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA020A120MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/150ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 425ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA020A135MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1350V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: 2.5mJ (on), 760µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 180nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/175ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 425ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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GPA025A120MN-ND

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 312W
• 開關能量: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 350nC
• 25°C時的Td（開/關）: 57ns/240ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 480ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA030A120I-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 329W TO247

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 329W
• 開關能量: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 330nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 450ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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GPA030A120MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 329W
• 開關能量: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 330nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 450ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA030A135MN-FDR

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1350V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 329W
• 開關能量: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 300nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/145ns
• 測試條件: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 450ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA040A120L-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 480W TO264

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 480W
• 開關能量: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 480nC
• 25°C時的Td（開/關）: 55ns/200ns
• 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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