晶體管

GPA040A120L-ND

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 455W TO264

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 455W
• 開關能量: 5.8mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 510nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/200ns
• 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 220ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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GPA040A120MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 480W
• 開關能量: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 480nC
• 25°C時的Td（開/關）: 55ns/200ns
• 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPA042A100L-ND

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 1000V 60A 463W TO264

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 463W
• 開關能量: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 405nC
• 25°C時的Td（開/關）: 230ns/1480ns
• 測試條件: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 465ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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GPA060A060MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 347W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 347W
• 開關能量: 2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 225nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/150ns
• 測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GPI040A060MN-FD

Global Power Technologies Group

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 231W TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 231W
• 開關能量: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 173nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/85ns
• 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 1W 8-SOIC

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 4V, 200A
• 功率-最大: 1W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 3.1µs/2µs
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 400ns/400ns
• 測試條件: 300V, 10A, 100Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-220SM

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GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 240W
• 開關能量: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 90ns/300ns
• 測試條件: 300V, 50A, 13Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(LH)

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GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-IGBT-單

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 170W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 330ns/700ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 2.5µs
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(LH)

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GT8G133(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 4V, 150A
• 功率-最大: 600mW
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 1.7µs/2µs
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-TSSOP

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HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 320µJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/165ns
• 測試條件: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S10N120BNST

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 320µJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/165ns
• 測試條件: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S12N60A4DS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 78nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 30ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S12N60A4S9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 78nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S14N36G3VLS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 390V 18A 100W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 390V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 5V, 14A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/7µs
• 測試條件: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S14N36G3VLT

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 390V 18A 100W TO262AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 390V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 5V, 14A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/7µs
• 測試條件: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)

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HGT1S20N35G3VLS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 380V 20A 150W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 5V, 20A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 28.7nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/15µs
• 測試條件: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 395V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 37.7A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 5V, 20A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 28.7nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/15µs
• 測試條件: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)

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HGT1S20N60A4S9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 290W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 290W
• 開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns
• 測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S20N60C3S9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 164W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 164W
• 開關能量: 295µJ (on), 500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 91nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/151ns
• 測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
• 功率-最大: 104W
• 開關能量: 96µJ (on), 355µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/205ns
• 測試條件: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: TO-262

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HGT1S3N60A4DS9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 70W
• 開關能量: 37µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 21nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/73ns
• 測試條件: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 29ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 34A 125W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 55µJ (on), 60µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 37nC
• 25°C時的Td（開/關）: 11ns/100ns
• 測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 34ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S7N60C3DS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 165µJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 37ns
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGT1S7N60C3DS9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 165µJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 37ns
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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HGTD1N120BNS9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.3A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 6A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 1A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 70µJ (on), 90µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 14nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/67ns
• 測試條件: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252AA

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HGTD3N60C3S9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 33W
• 開關能量: 85µJ (on), 245µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 10.8nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252AA

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HGTD7N60C3S9A

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 60W TO252AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 165µJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252AA

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HGTG10N120BND

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 35A 298W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 850µJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/165ns
• 測試條件: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 70ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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HGTG11N120CN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 43A 298W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 11A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/180ns
• 測試條件: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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