晶體管

型號	描述	庫存
HGTG11N120CND ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 43A 298W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 11A 功率-最大: 298W 開關能量: 950µJ (on), 1.3mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 100nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/180ns 測試條件: 960V, 11A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 70ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存8,208
HGTG12N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 54A 167W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A 功率-最大: 167W 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 78nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存3,222
HGTG12N60A4D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 54A 167W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A 功率-最大: 167W 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 78nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 30ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存7,284
HGTG12N60B3 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 27A 104W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A 電流-集電極脈沖（Icm）: 110A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 12A 功率-最大: 104W 開關能量: 150µJ (on), 250µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 51nC 25°C時的Td（開/關）: 26ns/150ns 測試條件: 480V, 12A, 25Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存4,500
HGTG12N60C3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 24A 104W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A 功率-最大: 104W 開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 48nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 42ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存16,686
HGTG18N120BN ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 54A 390W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 165A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 18A 功率-最大: 390W 開關能量: 800µJ (on), 1.8mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 165nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/170ns 測試條件: 960V, 18A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存4,104
HGTG18N120BND ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 54A 390W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 18A 功率-最大: 390W 開關能量: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 165nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/170ns 測試條件: 960V, 18A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 75ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存19,692
HGTG20N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 70A 290W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大: 290W 開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 142nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns 測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存6,816
HGTG20N60A4D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 70A 290W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大: 290W 開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 142nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns 測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 35ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存11,568
HGTG20N60B3 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 165W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 20A 功率-最大: 165W 開關能量: 475µJ (on), 1.05mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 80nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存9,600
HGTG20N60B3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 165W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 20A 功率-最大: 165W 開關能量: 475µJ (on), 1.05mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 80nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 55ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存18,816
HGTG20N60C3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 45A 164W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 20A 功率-最大: 164W 開關能量: 500µJ (on), 500µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 91nC 25°C時的Td（開/關）: 28ns/151ns 測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 55ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存8,064
HGTG27N120BN ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 72A 500W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A 電流-集電極脈沖（Icm）: 216A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 27A 功率-最大: 500W 開關能量: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 270nC 25°C時的Td（開/關）: 24ns/195ns 測試條件: 960V, 27A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存6,732
HGTG30N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 75A 463W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A 功率-最大: 463W 開關能量: 280µJ (on), 240µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 225nC 25°C時的Td（開/關）: 25ns/150ns 測試條件: 390V, 30A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存40,266
HGTG30N60A4D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 75A 463W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A 功率-最大: 463W 開關能量: 280µJ (on), 240µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 225nC 25°C時的Td（開/關）: 25ns/150ns 測試條件: 390V, 30A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 55ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存23,646
HGTG30N60B3 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 60A 208W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A 功率-最大: 208W 開關能量: 500µJ (on), 680µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 170nC 25°C時的Td（開/關）: 36ns/137ns 測試條件: 480V, 30A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存7,920
HGTG30N60B3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 60A 208W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A 功率-最大: 208W 開關能量: 550µJ (on), 680µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 170nC 25°C時的Td（開/關）: 36ns/137ns 測試條件: 480V, 30A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 55ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存16,914
HGTG30N60C3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 63A 208W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A 電流-集電極脈沖（Icm）: 252A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A 功率-最大: 208W 開關能量: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 162nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存16,188
HGTG40N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 75A 625W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 40A 功率-最大: 625W 開關能量: 400µJ (on), 370µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 350nC 25°C時的Td（開/關）: 25ns/145ns 測試條件: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存8,244
HGTG40N60B3 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 70A 290W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 電流-集電極脈沖（Icm）: 330A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: 290W 開關能量: 1.05mJ (on), 800µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 250nC 25°C時的Td（開/關）: 47ns/170ns 測試條件: 480V, 40A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存7,596
HGTG5N120BND ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 21A 167W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 5A 功率-最大: 167W 開關能量: 450µJ (on), 390µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 53nC 25°C時的Td（開/關）: 22ns/160ns 測試條件: 960V, 5A, 25Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 65ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存6,372
HGTG7N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 34A 125W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A 功率-最大: 125W 開關能量: 55µJ (on), 60µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 37nC 25°C時的Td（開/關）: 11ns/100ns 測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存4,284
HGTG7N60A4D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 34A 125W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A 功率-最大: 125W 開關能量: 55µJ (on), 60µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 37nC 25°C時的Td（開/關）: 11ns/100ns 測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 34ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存6,768
HGTP10N120BN ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 35A 298W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A 功率-最大: 298W 開關能量: 320µJ (on), 800µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 100nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/165ns 測試條件: 960V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,168
HGTP12N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 54A 167W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A 功率-最大: 167W 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 78nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,598
HGTP12N60A4D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 54A 167W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A 功率-最大: 167W 開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 78nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 30ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存11,544
HGTP12N60C3 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 24A 104W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 12A 功率-最大: 104W 開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 48nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,032
HGTP12N60C3D ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 24A 104W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A 功率-最大: 104W 開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 48nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 40ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,222
HGTP20N60A4 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 70A 290W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大: 290W 開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 142nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns 測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存17,676
HGTP2N120CN ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 13A 104W TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A 功率-最大: 104W 開關能量: 96µJ (on), 355µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 30nC 25°C時的Td（開/關）: 25ns/205ns 測試條件: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,428

HGTG11N120CND

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 43A 298W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 11A
功率-最大: 298W
開關能量: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 100nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/180ns
測試條件: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 70ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存8,208

HGTG12N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
功率-最大: 167W
開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 78nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存3,222

HGTG12N60A4D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
功率-最大: 167W
開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 78nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 30ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存7,284

HGTG12N60B3

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 27A 104W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A
電流-集電極脈沖（Icm）: 110A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 12A
功率-最大: 104W
開關能量: 150µJ (on), 250µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 51nC
25°C時的Td（開/關）: 26ns/150ns
測試條件: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存4,500

HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 104W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
功率-最大: 104W
開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 48nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 42ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存16,686

HGTG18N120BN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 54A 390W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 165A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 18A
功率-最大: 390W
開關能量: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 165nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/170ns
測試條件: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存4,104

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 54A 390W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 18A
功率-最大: 390W
開關能量: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 165nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/170ns
測試條件: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 75ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存19,692

HGTG20N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 290W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A
功率-最大: 290W
開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 142nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns
測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存6,816

HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 290W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A
功率-最大: 290W
開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 142nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns
測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 35ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存11,568

HGTG20N60B3

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 165W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 20A
功率-最大: 165W
開關能量: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 80nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存9,600

HGTG20N60B3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 165W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 20A
功率-最大: 165W
開關能量: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 80nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 55ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存18,816

HGTG20N60C3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 164W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 20A
功率-最大: 164W
開關能量: 500µJ (on), 500µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 91nC
25°C時的Td（開/關）: 28ns/151ns
測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 55ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存8,064

HGTG27N120BN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 72A 500W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A
電流-集電極脈沖（Icm）: 216A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 27A
功率-最大: 500W
開關能量: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 270nC
25°C時的Td（開/關）: 24ns/195ns
測試條件: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存6,732

HGTG30N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A 463W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A
功率-最大: 463W
開關能量: 280µJ (on), 240µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 225nC
25°C時的Td（開/關）: 25ns/150ns
測試條件: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存40,266

HGTG30N60A4D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A 463W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 30A
功率-最大: 463W
開關能量: 280µJ (on), 240µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 225nC
25°C時的Td（開/關）: 25ns/150ns
測試條件: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 55ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存23,646

HGTG30N60B3

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 208W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
功率-最大: 208W
開關能量: 500µJ (on), 680µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 170nC
25°C時的Td（開/關）: 36ns/137ns
測試條件: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存7,920

HGTG30N60B3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 208W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
功率-最大: 208W
開關能量: 550µJ (on), 680µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 170nC
25°C時的Td（開/關）: 36ns/137ns
測試條件: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 55ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存16,914

HGTG30N60C3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 63A 208W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
電流-集電極脈沖（Icm）: 252A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A
功率-最大: 208W
開關能量: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 162nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存16,188

HGTG40N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A 625W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 40A
功率-最大: 625W
開關能量: 400µJ (on), 370µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 350nC
25°C時的Td（開/關）: 25ns/145ns
測試條件: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存8,244

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 290W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
電流-集電極脈沖（Icm）: 330A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: 290W
開關能量: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 250nC
25°C時的Td（開/關）: 47ns/170ns
測試條件: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存7,596

HGTG5N120BND

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 21A 167W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A
電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 5A
功率-最大: 167W
開關能量: 450µJ (on), 390µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 53nC
25°C時的Td（開/關）: 22ns/160ns
測試條件: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 65ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存6,372

HGTG7N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 34A 125W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A
功率-最大: 125W
開關能量: 55µJ (on), 60µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 37nC
25°C時的Td（開/關）: 11ns/100ns
測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存4,284

HGTG7N60A4D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 34A 125W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A
功率-最大: 125W
開關能量: 55µJ (on), 60µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 37nC
25°C時的Td（開/關）: 11ns/100ns
測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 34ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存6,768

HGTP10N120BN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 10A
功率-最大: 298W
開關能量: 320µJ (on), 800µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 100nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/165ns
測試條件: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,168

HGTP12N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
功率-最大: 167W
開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 78nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,598

HGTP12N60A4D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 167W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 12A
功率-最大: 167W
開關能量: 55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 78nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/96ns
測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 30ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存11,544

HGTP12N60C3

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 104W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 12A
功率-最大: 104W
開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 48nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,032

HGTP12N60C3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 104W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
功率-最大: 104W
開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 48nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 40ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,222

HGTP20N60A4

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 290W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A
功率-最大: 290W
開關能量: 105µJ (on), 150µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 142nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/73ns
測試條件: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存17,676

HGTP2N120CN

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
功率-最大: 104W
開關能量: 96µJ (on), 355µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 30nC
25°C時的Td（開/關）: 25ns/205ns
測試條件: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,428

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