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晶體管

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型號
描述
庫存
數量
STGB10M65DF2
STGB10M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 10A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 10A
  • 功率-最大: 115W
  • 開關能量: 120µJ (on), 270µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 28nC
  • 25°C時的Td(開/關): 19ns/91ns
  • 測試條件: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 96ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存3,598
STGB10NB37LZ
STGB10NB37LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 440V 20A 125W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 440V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
  • 功率-最大: 125W
  • 開關能量: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 28nC
  • 25°C時的Td(開/關): 1.3µs/8µs
  • 測試條件: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存7,920
STGB10NB37LZT4
STGB10NB37LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 440V 20A 125W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 440V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
  • 功率-最大: 125W
  • 開關能量: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 28nC
  • 25°C時的Td(開/關): 1.3µs/8µs
  • 測試條件: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存5,562
STGB10NB40LZT4
STGB10NB40LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 440V 20A 150W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 440V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 28nC
  • 25°C時的Td(開/關): 1.3µs/8µs
  • 測試條件: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存27,834
STGB10NB60ST4
STGB10NB60ST4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 29A 80W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 29A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.75V @ 15V, 10A
  • 功率-最大: 80W
  • 開關能量: 600µJ (on), 5mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 33nC
  • 25°C時的Td(開/關): 700ns/1.2µs
  • 測試條件: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D²PAK
庫存6,282
STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 65W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 30A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 5A
  • 功率-最大: 65W
  • 開關能量: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 19.2nC
  • 25°C時的Td(開/關): 14.2ns/72ns
  • 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 22ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存21,492
STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 65W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 30A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 5A
  • 功率-最大: 65W
  • 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 19nC
  • 25°C時的Td(開/關): 17ns/72ns
  • 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 22ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存32,562
STGB10NC60KT4
STGB10NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 65W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 30A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 5A
  • 功率-最大: 65W
  • 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 19nC
  • 25°C時的Td(開/關): 17ns/72ns
  • 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存23,538
STGB12NB60KDT4
STGB12NB60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 30A 125W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.8V @ 15V, 12A
  • 功率-最大: 125W
  • 開關能量: 258µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 54nC
  • 25°C時的Td(開/關): 25ns/96ns
  • 測試條件: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 80ns
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存8,964
STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 80W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 50A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 7A
  • 功率-最大: 80W
  • 開關能量: 82µJ (on), 155µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 34.4nC
  • 25°C時的Td(開/關): 22.5ns/116ns
  • 測試條件: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 37ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存23,094
STGB14NC60KT4
STGB14NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 80W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 7A
  • 功率-最大: 80W
  • 開關能量: 82µJ (on), 155µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 34.4nC
  • 25°C時的Td(開/關): 22.5ns/116ns
  • 測試條件: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存2,232
STGB15H60DF
STGB15H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 30A 115W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 115W
  • 開關能量: 136µJ (on), 207µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 81nC
  • 25°C時的Td(開/關): 24.5ns/118ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 103ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存4,158
STGB15M65DF2
STGB15M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 136W
  • 開關能量: 90µJ (on), 450µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 45nC
  • 25°C時的Td(開/關): 24ns/93ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 142ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存12,672
STGB18N40LZ-1
STGB18N40LZ-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 420V 30A 150W I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 420V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: -
  • 輸入類型: Logic
  • 門禁費用: 29nC
  • 25°C時的Td(開/關): 650ns/13.5µs
  • 測試條件: 300V, 10A, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
庫存5,778
STGB18N40LZT4
STGB18N40LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 420V 30A 150W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 420V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: -
  • 輸入類型: Logic
  • 門禁費用: 29nC
  • 25°C時的Td(開/關): 650ns/13.5µs
  • 測試條件: 300V, 10A, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存16,080
STGB19NC60HDT4
STGB19NC60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 130W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 12A
  • 功率-最大: 130W
  • 開關能量: 85µJ (on), 189µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 53nC
  • 25°C時的Td(開/關): 25ns/97ns
  • 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 31ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存12,774
STGB19NC60KDT4
STGB19NC60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 35A 125W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 75A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.75V @ 15V, 12A
  • 功率-最大: 125W
  • 開關能量: 165µJ (on), 255µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 30ns/105ns
  • 測試條件: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 31ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存2,376
STGB19NC60KT4
STGB19NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 35A 125W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 75A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.75V @ 15V, 12A
  • 功率-最大: 125W
  • 開關能量: 165µJ (on), 255µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 30ns/105ns
  • 測試條件: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存19,188
STGB19NC60WT4
STGB19NC60WT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 130W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 12A
  • 功率-最大: 130W
  • 開關能量: 81µJ (on), 125µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 53nC
  • 25°C時的Td(開/關): 25ns/90ns
  • 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存12,660
STGB20H60DF
STGB20H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 167W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 167W
  • 開關能量: 209µJ (on), 261µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 115nC
  • 25°C時的Td(開/關): 42.5ns/177ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 90ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存5,310
STGB20M65DF2
STGB20M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: M
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 166W
  • 開關能量: 140µJ (on), 560µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 63nC
  • 25°C時的Td(開/關): 26ns/108ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 166ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存6,588
STGB20N40LZ
STGB20N40LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 390V 25A 150W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 390V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 40A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.6V @ 4V, 6A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: -
  • 輸入類型: Logic
  • 門禁費用: 24nC
  • 25°C時的Td(開/關): 700ns/4.3µs
  • 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
庫存7,740
STGB20N45LZAG
STGB20N45LZAG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

POWER TRANSISTORS

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 450V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 50A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.25V @ 4V, 6A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: -
  • 輸入類型: Logic
  • 門禁費用: 26nC
  • 25°C時的Td(開/關): 1.1µs/4.6µs
  • 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D²PAK
庫存4,014
STGB20NB32LZ
STGB20NB32LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 375V 40A 150W I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 375V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 4.5V, 20A
  • 功率-最大: 150W
  • 開關能量: 11.8mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 51nC
  • 25°C時的Td(開/關): 2.3µs/11.5µs
  • 測試條件: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存3,618
STGB20NB37LZ
STGB20NB37LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 425V 40A 200W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 425V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 4.5V, 20A
  • 功率-最大: 200W
  • 開關能量: 11.8mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 51nC
  • 25°C時的Td(開/關): 2.3µs/2µs
  • 測試條件: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存4,194
STGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 425V 40A 200W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 425V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 4.5V, 20A
  • 功率-最大: 200W
  • 開關能量: 11.8mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 51nC
  • 25°C時的Td(開/關): 2.3µs/2µs
  • 測試條件: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存7,092
STGB20NB41LZT4
STGB20NB41LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 442V 40A 200W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 442V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2V @ 4.5V, 20A
  • 功率-最大: 200W
  • 開關能量: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 46nC
  • 25°C時的Td(開/關): 1µs/12.1µs
  • 測試條件: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存5,544
STGB20NC60V
STGB20NC60V

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 200W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 100A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 200W
  • 開關能量: 220µJ (on), 330µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 100nC
  • 25°C時的Td(開/關): 31ns/100ns
  • 測試條件: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存3,708
STGB20NC60VT4
STGB20NC60VT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 200W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 100A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 200W
  • 開關能量: 220µJ (on), 330µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 100nC
  • 25°C時的Td(開/關): 31ns/100ns
  • 測試條件: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存5,256
STGB20V60DF
STGB20V60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 167W D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 80A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.2V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 167W
  • 開關能量: 200µJ (on), 130µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 116nC
  • 25°C時的Td(開/關): 38ns/149ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 40ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D2PAK
庫存2,988