晶體管

STGWT40H65DFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 498µJ (on), 363µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/142ns
• 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 62ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT40H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 498mJ (on), 363mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/142ns
• 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT40HP65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: HB
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 363µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/142ns
• 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT40V60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 456µJ (on), 411µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 226nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/208ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 41ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT40V60DLF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 411µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 226nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/208ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT60H60DLFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 626µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 306nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/160ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT60H65DFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 306nC
• 25°C時的Td（開/關）: 51ns/160ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT60H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 306nC
• 25°C時的Td（開/關）: 51ns/160ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT60V60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 375W TO3P

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 750µJ (on), 550µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 334nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/208ns
• 測試條件: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 74ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: -

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STGWT60V60DLF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT BIPO 600V 60A TO3P

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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STGWT80H65DFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 414nC
• 25°C時的Td（開/關）: 84ns/280ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 85ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT80H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 414nC
• 25°C時的Td（開/關）: 84ns/280ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT80V60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 469W TO-3P

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 448nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/220ns
• 測試條件: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGWT80V60F

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 469W TO-3P

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 448nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/220ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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STGY40NC60VD

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 260W MAX247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 330µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 214nC
• 25°C時的Td（開/關）: 43ns/140ns
• 測試條件: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 44ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: MAX247™

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STGY50NC60WD

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 110A 278W MAX247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 278W
• 開關能量: 365µJ (on), 560µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 195nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/240ns
• 測試條件: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: MAX247™

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STGY80H65DFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 469W MAX247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 414nC
• 25°C時的Td（開/關）: 84ns/280ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 85ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: MAX247™

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STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: *
• IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: 66ns/185ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 202ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Exposed Pad
• 供應商設備包裝: MAX247™

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STGYA120M65DF2AG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: M
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: 66ns/185ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 202ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: MAX247™

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TIG052TS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 8TSSOP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.5V @ 2.5V, 150A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-TSSOP

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TIG056BF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 30W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 15V, 240A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/140ns
• 測試條件: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FI(LS)

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TIG056BF-1E

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 430V 240A 30W TO-220F-3FS

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 15V, 240A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/140ns
• 測試條件: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-3FS

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TIG058E8-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V ECH8

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.6V @ 4V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: 8-ECH

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TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V ECH8

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 3V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: 8-ECH

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TIG064E8-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V ECH8

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7V @ 2.5V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: 8-ECH

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TIG065E8-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 150A ECH8

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7V @ 2.5V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: 8-ECH

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TIG066SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 8SOP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 4V, 150A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TIG067SS-TL-2W

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 150A 8SOIC

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 4V, 150A
• 功率-最大: 1.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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TIG074E8-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 150A 8ECH

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: SOT-28FL/ECH8

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TIG110BF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 27A 2W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 108A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 95nC
• 25°C時的Td（開/關）: 65ns/250ns
• 測試條件: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FI(LS)

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