晶體管

型號	描述	庫存
2N4856JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存8,172
2N4856UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,166
2N4857 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,348
2N4857JAN02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,472
2N4857JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存6,372
2N4857JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,672
2N4857JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,598
2N4857UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,122
2N4858 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存1,031
2N4858A Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存505
2N4858JAN02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存7,524
2N4858JTVP02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET JFET P-CH 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,150
2N4858JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存8,334
2N4858JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,906
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存6,912
2N4858JVP02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET JFET P-CH 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,058
2N4858UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CHAN 40V 3SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)	庫存3,078
2N4859 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存6,030
2N4859A Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: 250pA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,988
2N4859JAN02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存2,736
2N4859JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存5,022
2N4859JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存2,538
2N4859JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存4,374
2N4859UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,686
2N4860 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存8,352
2N4860JAN02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V TO-206 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存8,478
2N4860JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V TO-206 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存6,786
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V TO-206 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存2,088
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V TO-206 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存6,120
2N4860UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,322

2N4856JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存8,172

2N4856UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,166

2N4857

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,348

2N4857JAN02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,472

2N4857JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存6,372

2N4857JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,672

2N4857JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,598

2N4857UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,122

2N4858

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存1,031

2N4858A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存505

2N4858JAN02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 80MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存7,524

2N4858JTVP02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET JFET P-CH

制造商: Vishay Siliconix
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,150

2N4858JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 80MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存8,334

2N4858JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 80MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,906

2N4858JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 80MA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存6,912

2N4858JVP02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET JFET P-CH

制造商: Vishay Siliconix
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,058

2N4858UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)

庫存3,078

2N4859

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存6,030

2N4859A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: 250pA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,988

2N4859JAN02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存2,736

2N4859JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存5,022

2N4859JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存2,538

2N4859JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存4,374

2N4859UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,686

2N4860

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存8,352

2N4860JAN02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V TO-206

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存8,478

2N4860JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V TO-206

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存6,786

2N4860JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V TO-206

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存2,088

2N4860JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V TO-206

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存6,120

2N4860UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,322

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