晶體管

型號	描述	庫存
TIG111BF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 23A 2W TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A 功率-最大: 2W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 63nC 25°C時的Td（開/關）: 43ns/175ns 測試條件: 300V, 10A, 30Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220FI(LS)	庫存7,830
2N2608 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET IC JUNCTION FET P-CH TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,896
2N2609 Microsemi	晶體管-JFET JFETS 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1A 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存6,048
2N3820 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,510
2N3820 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,231
2N3820_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,460
2N3821 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/375 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存7,848
2N3822 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/375 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存195
2N3823 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/375 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存288
2N4091 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,736
2N4091UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CHAN 40V 3SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)	庫存6,156
2N4092 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存190
2N4092UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CHAN 40V 3SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)	庫存6,318
2N4093 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存61
2N4093UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CHAN 40V 3SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)	庫存8,532
2N4117A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存8,198
2N4117A MICROSS/On Semiconductor	晶體管-JFET DIE MOSFET N-CH 40V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存14,799
2N4117A-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存3,798
2N4117A-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存8,658
2N4118A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存19,584
2N4118A-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存2,646
2N4118A-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存7,902
2N4119A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存2,377
2N4119A-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存4,032
2N4119A-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存4,320
2N4338 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存1,825
2N4338-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,400
2N4338-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,294
2N4339 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存284
2N4339-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存8,604

TIG111BF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 2W TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A
功率-最大: 2W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 63nC
25°C時的Td（開/關）: 43ns/175ns
測試條件: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220FI(LS)

庫存7,830

2N2608

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

IC JUNCTION FET P-CH TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,896

2N2609

Microsemi

晶體管-JFET

JFETS

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1A
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存6,048

2N3820

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,510

2N3820

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 20V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,231

2N3820_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 20V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,460

2N3821

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/375
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存7,848

2N3822

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/375
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存195

2N3823

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/375
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存288

2N4091

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,736

2N4091UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)

庫存6,156

2N4092

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存190

2N4092UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)

庫存6,318

2N4093

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存61

2N4093UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)

庫存8,532

2N4117A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存8,198

2N4117A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-JFET

DIE MOSFET N-CH 40V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存14,799

2N4117A-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存3,798

2N4117A-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存8,658

2N4118A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存19,584

2N4118A-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存2,646

2N4118A-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存7,902

2N4119A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存2,377

2N4119A-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存4,032

2N4119A-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存4,320

2N4338

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存1,825

2N4338-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,400

2N4338-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,294

2N4339

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存284

2N4339-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存8,604

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message