晶體管

型號	描述	庫存
FJX597JBTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)	庫存83,298
FJX597JCTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)	庫存59,355
FJX597JHTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)	庫存69,018
FJZ594JBTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-623F 供應商設備包裝: SOT-623F	庫存35,683
FJZ594JCTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-623F 供應商設備包裝: SOT-623F	庫存34,934
FJZ594JTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-623F 供應商設備包裝: SOT-623F	庫存6,480
IJW120R070T1FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-JFET JFET N-CHAN 35A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 3.3µA @ 1200V 電流消耗（Id）-最大: 35A 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS) 電阻-RDS（On）: 70 mOhms 功率-最大: 238W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: PG-TO247-3	庫存8,154
IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-JFET JFET N-CHAN 26A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5µA @ 1200V 電流消耗（Id）-最大: 26A 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) 電阻-RDS（On）: 100 mOhms 功率-最大: 190W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: PG-TO247-3	庫存4,950
J105 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,230
J105_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,706
J105_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,158
J106 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 6 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,889
J106_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 6 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,300
J107 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,644
J107_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,848
J108 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,070
J108,126 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 400mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,038
J108_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,362
J108_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,066
J108_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,988
J109 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存309,197
J109,126 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 400mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,550
J109-D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,718
J109_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,010
J109_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,454
J109_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,284
J110 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存2,736
J110 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 18 Ohms 功率-最大: 310mW 工作溫度: 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,904
J110,126 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 18 Ohms 功率-最大: 400mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,070
J110_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 18 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,246

FJX597JBTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)

庫存83,298

FJX597JCTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)

庫存59,355

FJX597JHTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)

庫存69,018

FJZ594JBTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-623F
供應商設備包裝: SOT-623F

庫存35,683

FJZ594JCTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-623F
供應商設備包裝: SOT-623F

庫存34,934

FJZ594JTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-623F
供應商設備包裝: SOT-623F

庫存6,480

IJW120R070T1FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 35A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 3.3µA @ 1200V
電流消耗（Id）-最大: 35A
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS)
電阻-RDS（On）: 70 mOhms
功率-最大: 238W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: PG-TO247-3

庫存8,154

IJW120R100T1FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 26A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5µA @ 1200V
電流消耗（Id）-最大: 26A
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS)
電阻-RDS（On）: 100 mOhms
功率-最大: 190W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: PG-TO247-3

庫存4,950

J105

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,230

J105_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,706

J105_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,158

J106

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 6 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,889

J106_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 6 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,300

J107

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,644

J107_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,848

J108

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,070

J108,126

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 400mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,038

J108_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,362

J108_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,066

J108_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,988

J109

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存309,197

J109,126

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 400mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,550

J109-D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,718

J109_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,010

J109_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,454

J109_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,284

J110

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存2,736

J110

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 18 Ohms
功率-最大: 310mW
工作溫度: 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,904

J110,126

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 18 Ohms
功率-最大: 400mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,070

J110_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 18 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,246

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